Reader testing model by Reader testing model by using antenna  (แบบจำลองชุดทดสอบหัวอ่านโดยใช้สายอากาศ)

Pozar, David M. Microwave engineering. 3rd ed. Hoboken, N. J Pozar, David M. Microwave engineering. 3rd ed. Hoboken, N.J. : Wiley,2005.

สายอากาศไดโพล. เข้าถึงได้จาก : http://www. hs8jyx. com/html/dipole สายอากาศไดโพล.เข้าถึงได้จาก : http://www.hs8jyx.com/html/dipole.html. (วันที่สืบค้น : 3 สิงหาคม 2552)

Parabolic Antenna. เข้าถึงได้จาก : http://www. radartutorial. eu/06

รูปแบบการจำลองหัวอ่าน Testing the reader model as a resistance Testing the reader model as a recording head circuit Testing the recording head circuit connect to conductor wire Voltage S-Parameter

Simplified model for a recording head on suspension แสดงตัวต้านทานที่เป็น Reader Head Wallash. A New Electrical Overstress (EOS) Test for Magnetic Recording Heads.เข้าถึงได้จาก : www.credencetech.com/products/.../New_EOS_Test_Recording_Heads.pdf. (วันที่สืบค้น : 14 พฤศจิกายน 2552)

การจำลองหัวอ่าน ใช้ Lumped และ Discrete port แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน 1.1 ใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน

กราฟแสดงความสัมพันธ์ระหว่าง Voltage และ Frequency ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทาน แรงดัน % การลดลง ระหว่างค่าความต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2.4 GHz 300 Ohm (Good Reader) 0.2923598 V 40.134% 75 Ohm (Bad Reader) 0.09928256 V

การจำลองหัวอ่าน 1.2 ใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน

ความถี่ที่เกิด rasonance ระหว่างค่าความต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm กราฟแสดงค่า s-parameter (s 2,1) ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทาน s-parameter % การเพิ่มขึ้น ระหว่างค่าความต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2.3684 GHz 300 Ohm (Good Reader) 0.1965 20.967% 75 Ohm (Bad Reader) 0.2377

การจำลองหัวอ่าน 2. สร้างวงจร recording head แล้วใช้ Lumped และ Discrete port แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน Wallash. A New Electrical Overstress (EOS) Test for Magnetic Recording Heads.เข้าถึงได้จาก : www.credencetech.com/products/.../New_EOS_Test_Recording_Heads.pdf. (วันที่สืบค้น : 14 พฤศจิกายน 2552)

การจำลองหัวอ่าน 2.1 สร้างวงจร recording head แล้วใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน

ความถี่ที่เกิด rasonance กราฟแสดงความสัมพันธ์ระหว่าง Voltage และ Frequency ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทาน แรงดัน % การลดลง ระหว่างค่าความต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2.2 GHz 300 Ohm (Good Reader) 0.7177231 V 27.671% 75 Ohm (Bad Reader) 0.5191208 V

การจำลองหัวอ่าน 2.2 สร้างวงจร recording head แล้วใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน

ความถี่ที่เกิด rasonance กราฟแสดงค่า s-parameter (s 2,1) ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทาน s-parameter % การเพิ่มขึ้น ระหว่างค่าความต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2.2082 GHz 300 Ohm (Good Reader) 0.04167 45.836% 75 Ohm (Bad Reader) 0.06077

การจำลองหัวอ่าน 3. สร้างสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Lumped และ Discrete port แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head ภาพสายเชื่อมต่อหัวอ่านและหัวเขียน ชญาดา สุระวนิชกุล.แบบจำลองของสายเชื่อมต่อหัวอ่านและวงจรขยายภาคแรกโดยใช้เอสพารามิเตอร์,2551

การจำลองหัวอ่าน 3.1 สร้างสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head

การจำลองหัวอ่าน ภาพขยายส่วนเชื่อมต่อกับบริเวณหัวอ่าน

ความถี่ที่เกิด rasonance กราฟแสดงความสัมพันธ์ระหว่าง Voltage และ Frequency ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทาน แรงดัน % การลดลง ระหว่างค่าความต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2 GHz 300 Ohm (Good Reader) 0.1968189 V 60.073% 75 Ohm (Bad Reader) 0.07858368 V

การจำลองหัวอ่าน 3.2 สร้างสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head

การจำลองหัวอ่าน ภาพขยายส่วนเชื่อมต่อกับบริเวณหัวอ่าน

ความถี่ที่เกิด rasonance กราฟแสดงค่า s-parameter (s 2,1) ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทาน s-parameter % การเพิ่มขึ้น ระหว่างค่าความต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2.3284 GHz 300 Ohm (Good Reader) 0.0236 48.05% 75 Ohm (Bad Reader) 0.03494

กราฟแสดงความสัมพันธ์ระหว่าง Voltage และ Frequency ของทั้ง 3 การทดลอง เมื่อใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานใน reader head เมื่อใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานในวงจร recording head เมื่อมีสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head

กราฟแสดงค่า s-parameter (s 2,1) ของทั้ง 3 การทดลอง เมื่อใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานใน reader head เมื่อใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานในวงจร recording head เมื่อมีสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head