Memory Interface Memory Pin Connections 1. Address Inputs 2. Data Input/Outputs 3. Selection Input 4. Control Input 4.1 Read 4.2 Write

Memory Interface คุณสมบัติของหน่วยความจำที่ดีประกอบด้วย สามารถเข้าถึงข้อมูลโดยการสุ่มได้ ข้อมูลในแต่ละไบต์จะต้องมีตำแหน่งเป็นของตัวเอง การอ่านหรือการเขียนข้อมูลจะต้องทำเสร็จภายใน 1 ไซเคิล

Memory Interface Type of Memory 1. Read Only Memory (ROM) 2. Random Access Memory (RAM) ROM มีดังนี้คือ 1. Mask Programmable ROM 2. Field Programmable ROM 2.1 Fusible Link PROM 2.2 UV-light-erasable PROM 2.3 Electrical Erasable PROM

Memory Interface Mask Programmable ROM เป็นการใช้ไดโอดต่อในลักษณะของ Array การโปรแกรมจะโปรแกรมมาจากโรงงานตามความต้องการของลูกค้า ในทางการค้าของ IC ชนิดนี้ไม่เป็นที่นิยม เพราะการประกอบ Chip นั้น ต้องใช้ wafer จำนวนมาก หลายชั้น ดังนั้นจึงไม่สามารถรับประกันได้ว่า Chip ตัวใดดี หรือเสีย ทำให้ Mask Programmable ROM ไม่เป็นที่นิยม

Memory Interface Fusible link PROMs เป็น PROMs ชนิดหนึ่งที่ใช้ฟิวส์ที่มีจุดหลอมเหลวต่ำ มีลักษณะคล้ายกับ Mask Programmable ROMs เพียงแต่เปลี่ยนจากไดโอดเป็นฟิวส์แทน การโปรแกรมใช้ Current pulse ให้กับจุดที่ต้องการ ซึ่งส่งผลให้เป็นการกำหนดที่แน่นอนระหว่างลอจิก "0" กับลอจิก "1" โดยทั่วไปจะใช้งานเป็น ROM boot ในไมโครคอมพิวเตอร์ ซึ่งมีความเร็วในการเข้าถึงข้อมูลประมาณ 35 ns

Memory Interface UV - Light Erasable PROM (EPROM) เป็นหน่วยความจำที่สามารถโปรแกรมใหม่ได้ การลบข้อมูลจะใช้แสงอุลต้าไวโอเร็ท (Ultraviolet) ดังตัวอย่างเป็นหน่วยความจำรอมเบอร์ 2764 ที่มีขนาด 8Kbyte

Memory Interface EPROM เป็นหน่วยความจำที่นิยมใช้งาน โดยโครงสร้างภายในจะใช้หลักของ Floating-gate avalanche-injection MOS (FAMOS) ในการเก็บประจุในแต่ละเซล ตัวถังของทุกตัวต้องมีหน้าต่างควอท์ซ (Quartz) เพื่อให้แสง UV ผ่านไปลบข้อมูลที่อยู่ในหน่วยความจำ โดยใช้ระยะเวลาในการลบข้อมูลประมาณ 15-20 นาที การใช้งานเมื่อโปรแกรมข้อมูลเสร็จแล้วจะต้องปิดหน้าต่างควอท์ซโดยไม่ให้แสงผ่านเข้าไปได้ ไม่ว่าจะเป็นแสงแดด แสงจากหลอดฟูลออเรสเซนท์ ซึ่งแสงเหล่านี้สามารถทำให้ข้อมูลที่โปรแกรมไว้หายไปได้ โดยแสงแดดสามารถทำให้ข้อมูลหารไปได้ถ้าได้รับแสงแดด 1 สัปดาห์ หรือรับแสงจากหลอดฟลูออเรสเซนท์เป็นเวลา 3 ปี

Memory Interface Electrically Erasable PROM (E2PROM) เป็นหน่วยความจำที่มีข้อแตกต่างจาก EPROM ดังนี้ การลบข้อมูลของ EPROM จะต้องถอดตัว EPROM ออกจากวงจรก่อน EPROM ไม่สามารถลบข้อมูลเป็นไบต์ได้ หน้าต่างควอท์ซมีราคาแพง จากเหตุผลดังกล่าว ทำให้ต้องมีการพัฒนาอุปกรณ์ที่มีความสามารถที่สูงขึ้น สามารถลบข้อมูลเป็นไบต์ได้ ไม่มีหน้าต่างควอท์ซที่มีราคาแพง โดยได้พัฒนามาเป็น หน่วยความจำแบบ Electrically Erasable ส่งผลให้การแก้ไขโปรแกรม การลบข้อมูลสามารถทำได้ในแผงวงจรโดยไม่ต้องถอดตัวหน่วยความจำออกก่อน และยังสามารถทำงานได้ง่าย โดยข้อแตกต่างของ FAMOS กับ E2PROM

Memory Interface

Memory Interface RAM มีดังนี้คือ Static RAM

Memory Interface Dynamic RAM

Memory Interface Memory Packages DIP (Dual Inline Packages)

Memory Interface Memory Packages SIMM (Single Inline Memory Modules) ขนาด 30 pins 8 Bits + 1 Parity

Memory Interface Memory Packages SIMM (Single Inline Memory Modules) ขนาด 72 pins 32 Bits No Parity

Memory Interface Memory Packages DIMM (Dual Inline Memory Modules) ขนาด 168 pins 64 Bits

DRAM Technology Memory Interface EDO Extended Data Out FPM Fast Page Mode SDRAM Synchronous DRAM SLDRAM Synchronous Link DRAM DRDRAM Direct Rambus DRAM DDR SDRAM Double Data Rate SDRAM

รูปแบบการต่อหน่วยความจำ Memory Interface รูปแบบการต่อหน่วยความจำ มี 2 แบบคือ เพิ่มความจุ

รูปแบบการต่อหน่วยความจำ Memory Interface รูปแบบการต่อหน่วยความจำ เพิ่มขนาดของข้อมูล (DATA BUS)

รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 16 Bits Memory Interface รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 16 Bits การเชื่อมต่อกับไมโครโพรเซสเซอร์ขนาด 16 Bits จะแบ่งออกเป็น 2 Bank โดยใช้สัญญาณ BHE กับ A0 เป็นตัวควบคุมการติดต่อระหว่าง 8 Bits บนกับ 8 Bits ล่าง

รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 16 Bits Memory Interface รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 16 Bits BHE BLE(A0) Function 0 0 16 Bits Access or Transfer 0 1 8 Bits High bank Access 1 0 8 Bits Low Bank Access 1 1 No Bank Access

Memory Interface รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 16 Bits

รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 32 Bits Memory Interface รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 32 Bits การเชื่อมต่อกับไมโครโพรเซสเซอร์ขนาด 32 Bits จะแบ่งออกเป็น 4 Bank โดยใช้สัญญาณ BE0-BE3 เป็นตัวควบคุมการติดต่อระหว่าง 8 Bits 16 Bits หรือ 32 Bits

Memory Interface รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 32 Bits

รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 64 Bits Memory Interface รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 64 Bits การเชื่อมต่อกับไมโครโพรเซสเซอร์ขนาด 64 Bits จะแบ่งออกเป็น 8 Bank โดยใช้สัญญาณ BE0-BE7 เป็นตัวควบคุมการติดต่อระหว่าง 8 Bits 16 Bits 32 Bits หรือ 64 Bits

Memory Interface รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 64 Bits