งานนำเสนอกำลังจะดาวน์โหลด โปรดรอ

งานนำเสนอกำลังจะดาวน์โหลด โปรดรอ

1 5.5 การใช้ MOSFET ในการ ขยายสัญญาณ การคำนวณหาจุด ไบอัส.

งานนำเสนอที่คล้ายกัน


งานนำเสนอเรื่อง: "1 5.5 การใช้ MOSFET ในการ ขยายสัญญาณ การคำนวณหาจุด ไบอัส."— ใบสำเนางานนำเสนอ:

1 1 5.5 การใช้ MOSFET ในการ ขยายสัญญาณ การคำนวณหาจุด ไบอัส

2 2 กระแสเดรนเมื่อ DC term Linear term Non-linear term เพื่อลด non-linear term

3 3 เมื่อ จาก พบว่า และเมื่อแทน ลงใน สมการข้างบนจะได้ ตัวอย่างเช่น ถ้า MOSFET ที่มี K = 1 mA/V 2 และถูกไบอัส ให้มี I D = 1mA (V EFF = 1 V) จะมี g m = 2 mA/V ( ซึ่งถือว่าต่ำเมื่อเทียบกับ BJT ซึ่งมี g m = I C /V T = 40 mA/V เมื่อ I C = 1mA)

4 4 Graphical Interpretation

5 5 อัตราขยายแรงดัน

6 6

7 7

8 8 Small-Signal Equivalent Circuit Models

9 9 5.6 วงจรขยาย MOSFET

10 10 Common-Source Amplifier

11 11 Common-Source Amplifier

12 12 Common-Gate Amplifier สมมุติให้ r o มีค่าสูงมากจน เป็นอนันต์

13 13 เมื่อนำผล ของ r o เข้ามาคิดด้วย

14 14 Common-Drain Amp.

15 15

16 FET ประเภทอื่น ๆ Depletion MOSFET • อุปกรณ์ MOSFET ที่เราได้ทำการศึกษาในหัวข้อ ที่ผ่านเป็น MOSFET แบบ Enhancement • Depletion MOSFET จะเป็น MOSFET ที่ผ่าน กระบวนการผลิตพิเศษทำให้สามารถปรับค่า V t ได้ อาทิ Depletion NMOS สามารถมี V tn < 0 ได้ทำ ให้อุปกรณ์จะนำกระแสแม้กรณี V GS < 0

17 17 PM OS NMO S สัญลักษณ์ของ depletion- MOSFET

18 18 JFE T JFET เป็นอุปกรณ์ประเภท FET อีกตัวหนึ่ง • discrete JFET นิยมนำไปใช้ใน RF Amplifier • ใน integrated circuit นิยมใช้เป็นภาคอินพุตของ ออปแอมป์ BiFET เพื่อเพิ่ม input resistance ของ ออปแอมป์ ( เช่น LF155)

19 19 เราสามารถใช้ v GS ในการควบคุมความต้านทานระหว่าง Drain และ Source ได้ ดังนี้ v GS ยิ่งมีค่าน้อย ( ต่ำกว่าศูนย์มาก ) จะทำให้บริเวณปลอดพาหะกว้างขึ้นส่งผลให้ความกว้างของ ช่องเดินกระแสลดลง และความต้านทานระหว่าง D และ S เพิ่มขึ้น ย่าน ไตร โอด

20 20 โดยถ้า v GS < V P ( ซึ่งมีค่าน้อยกว่า 0) ช่องทางเดิน ของกระแสจะหายไป ทำให้ไม่มีกระแสไหลจาก D ไป S ย่านคัต ออฟ

21 21 ย่าน อิ่มตัว ในการใช้งาน JFET ในการขยายสัญญาณ เราจะไบอัส JFET ในอยู่ในย่านอิ่มตัวนั่นคือ v GS > V P ( เพื่อไม่ให้ อุปกรณ์คัตออฟ ) และ v DS > v GS - V P ( เพื่อให้เกิดการ pinch-off ในลักษณะเดียวกับ MOSFET) ซึ่งจะทำให้

22 22 MESFET MESFET (Metal Semiconductor Field-Effect Transistor) สร้างขึ้นจากสารกึ่งตัวนำแกลเลียมอาร์เซ ไนด์ (Gallium Arsenide: GaAs) ซึ่งสารที่มีความ คล่องตัว (mobility) ของอิเล็กตรอนสูง นิยมใช้ในงาน ความถี่สูง เช่นในวงจรรวมความถี่ไมโครเวฟ (monolithic microwave integrated circuits: MMICs) ภายในโทรศัพท์มือถือ ระบบสื่อสารดาวเทียม ระบบ เรดาร์ เป็นต้น


ดาวน์โหลด ppt 1 5.5 การใช้ MOSFET ในการ ขยายสัญญาณ การคำนวณหาจุด ไบอัส.

งานนำเสนอที่คล้ายกัน


Ads by Google