งานนำเสนอกำลังจะดาวน์โหลด โปรดรอ

งานนำเสนอกำลังจะดาวน์โหลด โปรดรอ

1 4.6 RTL (Resistor-Transistor Logic) Inverter ย่าน cut-off เมื่อ v I < 0.6 V ย่าน forward active เมื่อแรงดัน v I มีค่าสูง พอ รอยต่อ BE อยู่ใน สภาวะ on.

งานนำเสนอที่คล้ายกัน


งานนำเสนอเรื่อง: "1 4.6 RTL (Resistor-Transistor Logic) Inverter ย่าน cut-off เมื่อ v I < 0.6 V ย่าน forward active เมื่อแรงดัน v I มีค่าสูง พอ รอยต่อ BE อยู่ใน สภาวะ on."— ใบสำเนางานนำเสนอ:

1 1 4.6 RTL (Resistor-Transistor Logic) Inverter ย่าน cut-off เมื่อ v I < 0.6 V ย่าน forward active เมื่อแรงดัน v I มีค่าสูง พอ รอยต่อ BE อยู่ใน สภาวะ on ทำให้ ย่าน saturation เมื่อแรงดัน v O มีค่าต่ำลงเท่ากับ V CE(sat) (~0.2 V) BJT จะอยู่ในสภาวะอิ่มตัว การเพิ่ม v I จะทำให้ v O ตกลงอย่างช้าๆ ทำ ให้สามารถประมาณได้ว่าในย่านนี้ v O = v CE ~ V CE(sat) แรงดัน v O จะมีค่าลดต่ำลงอย่างรวดเร็วด้วย ความชัน – β (R C /R B )

2 2 • วงจร inverter จะแปลงอินพุตระดับสูงให้เป็นเอาต์พุตระดับต่ำ และ อินพุตระดับต่ำให้เป็นเอาต์พุตระดับสูง • อย่างไรก็ตามถ้า V IL < v I < V IH แล้ววงจรจะไม่สามารถทำหน้าที่ แปลงตรรกะได้อย่างถูกต้อง • ในปัจจุบันวงจรลอจิกแบบ RTL ได้ถูกแทนที่ด้วยวงจรแบบอื่น ๆ ( อาทิ TTL, CMOS และ ECL) จนหมดสิ้น

3 3 4.7 การใช้งาน BJT เป็น สวิตช์ขับกระแส

4 4 ตัวอย่ าง ถ้ากำหนดให้ทรานซิสเตอร์มี β = 50 และ V CE(sat) = 0.1 V และ LED เมื่อสว่างจะมีแรงดันตกคร่อมประมาณ 1.5 V (1) จงหาค่า R ที่ทำให้ในสภาวะขับกระแส LED มีกระแส ไหลผ่านไม่เกิน 15 mA (2) จงหาค่า R B ที่ทำให้กระแส i B มีค่าไม่เกิน 1 mA ( β forced = 15)

5 5 4.8 การใช้ BJT ในการ ขยายสัญญาณ

6 6 การ วิเคราะห์ ไบอัส เราต้องตรวจสอบดูว่าทรานซิสเตอร์ทำงานใน ย่านแอ็คทีฟจริงหรือไม่ โดย การเปรียบเทียบค่าแรงดัน V CE กับค่าแรงดัน V CE(SAT)

7 7 การวิเคราะห์สัญญาณขนาดเล็ก (small-signal analysis) จากสมการข้างบน เมื่อแทน g m = I C /V T และทำการประมาณให้ r o >> R C จะได้

8 8 V CC = V RC +V CE ---> Trade Off ระหว่าง Gain และ Output Swing

9 9 ตัวอย่าง

10 10 ขั้นตอนที่ 1 การ วิเคราะห์ไบอัส ขั้นตอนที่ 2 คำนวณหาค่าของพารามิเตอร์ของ แบบจำลองสัญญาณขนาดเล็ก ขั้นตอนที่ 3 การวิเคราะห์ทางเอซีโดยใช้ แบบจำลองสัญญาณขนาดเล็ก

11 การ ไบอัส BJT การไบอัสอย่าง ง่าย

12 12

13 13

14 14 การไบอัสด้วยแหล่งจ่าย กำลังคู่ เงื่อนไขที่ทำให้ I E ( และ I C ) ไม่ แปรตาม

15 15 gain Sign al swin g DC stabi lity “Trade -Off”

16 16 การเชิ่อมต่อด้วยตัวเก็บประจุ (Capacitive Coupling)

17 17 การไบอัสด้วยแหล่งจ่าย กำลังบวกลบ

18 18 Capacitive coupling Direct coupling การเชิ่อมต่อใน วงจรขยาย

19 19 การไบอัสด้วย แหล่งจ่ายไฟเดี่ยว

20 20 ใช้ Voltage Divider I1I1 I2I2

21 21 และถ้า ออกแบบให้

22 22

23 23 ตัวอย่าง ถ้า V CC = 12 V จงออกแบบวงจรเพื่อให้ได้ V RC = V CE =V RE = 4 V และ แ ละ

24 24

25 25 การไบอัสโดยใช้ แหล่งจ่ายกระแส • กระแส I E เป็นอิสระจาก และ R B • ดังนั้นเราสามารถ เลือกใช้ค่า R B ได้


ดาวน์โหลด ppt 1 4.6 RTL (Resistor-Transistor Logic) Inverter ย่าน cut-off เมื่อ v I < 0.6 V ย่าน forward active เมื่อแรงดัน v I มีค่าสูง พอ รอยต่อ BE อยู่ใน สภาวะ on.

งานนำเสนอที่คล้ายกัน


Ads by Google