429212 Engineering Electronics อิเล็กทรอนิกส์วิศวกรรม กลุ่ม 4 โดย Dr. Thipwan Fangsuwannarak WEEK 2 บรรยาย 4 ชม./สัปดาห์ และศึกษาด้วยตัวเอง 8 ชม./สัปดาห์ Thipwan_429212
วงจรสมมูล AC ด้วย re modele ของวงจรขยายสัญญาณขนาดเล็กของ BJT วงจรสมมูลประกอบด้วย Diode และ Controlled current source (1) 1. โครงสร้าง Common-Base จากที่ศึกษาเรื่องไดโอด เรารู้ว่าภายในตัวไดโอดจริง ๆ มีค่าความต้านทานในโหมด AC : เราเทียบเคียงสมการ rac แทนลง ไดโอดสมมูลของ BJT ได้เป็น (2) C-B
จากโครงสร้าง common-base กับ re model เราจะรู้พารามิเตอร์ต่าง ๆ นี้ (3) C-B Why? (4) C-B Zo สัมพันธ์กับ ro และ roของ BJT จริง ๆ จะมีค่าน้อยกว่าค่าอนันต์เพราะกราฟของ BJT มีความชันไม่เป็นศูนย์ ทำให้ Zo มีค่าสูงเป็น MW เท่านั้น C-B (5) (6) C-B
re model ของ BJT ชนิด n Thipwan_429212
2. โครงสร้าง Common-Emitter re model ของ BJT ชนิด n (7) C-E (8) C-E (9) C-E Thipwan_429212
จากโครงสร้าง common-emitter กับ re model เราจะรู้พารามิเตอร์ต่าง ๆ นี้ (10) C-E Zo สัมพันธ์กับ ro และในความเป็นจริงเมื่อ IB มีค่าสูงขึ้นแล้วเส้นกราฟมีความชันเพิ่มขึ้นแสดงว่า ro ลดค่าลงจากค่าอนันต์ทำให้ แต่ถ้าใช้ re model จะประมาณให้ C-E ทำให้ (11) C-E Thipwan_429212
(13) (12) C-E C-E โครงสร้างแบบ Common emitter แสดง re model เพื่อใช้การคำนวณแสดงได้ดังนี้ n-type BJT Thipwan_429212
วงจรขยายสัญญาณขนาดเล็กแสดงด้วย Hybrid- model re model r gmVbe Hybrid- model (14) (15) Thipwan_429212
วงจรขยายสัญญาณขนาดเล็กแสดงด้วย h-parameter model (หรือเรียกว่า hybrid equivalent model ) ข้อมูลเฉพาะ (Specification Sheet) ของ BJT 2N4400 แสดงด้วย h-parameters hie : Input impedance hfe : Current gain hre : Voltage feedback ratio hoe : Output admittance Thipwan_429212
Thipwan_429212