ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (Bipolor Transistor) 1 ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (Bipolor Transistor) อุปกรณ์ 3 ขั้วต่อ ประกอบด้วยสารกึ่งตัวนำ 3 ย่าน (มี npn และ pnp) สัญลักษณ์ IE = IC + IB อัตราขยายกระแส (current gain) ทรานซิสเตอร์กำลังต่ำ ทราสซิสเตอร์กำลังสูง การไบแอส(ไบอัส=bias)ทรานซิสเตอร์ IB = กระแสเบส IC = กระแสคอลเลคเตอร์ IE = กระแสอิมิตเตอร์
2 วงจรอิมิตเตอร์ร่วม (common emitter) Diode curve Collector curves
3 ตัวอย่าง จงหากระแส IC และแรงดัน VCE วิธีทำ ดังนั้น กระแส แรงดัน
Cutoff, breakdown, saturation กับการใช้ทรานซิสเตอร์เป็นสวิทช์ 4 Cutoff, breakdown, saturation กับการใช้ทรานซิสเตอร์เป็นสวิทช์ การใช้งานปกติมี 2 เกณฑ์ Base-biased circuit การออกแบบใช้งานทรานซิสเตอร์เป็นสวิทช์ เมื่อจัดให้ VBB=VCC อัตราส่วน RB:RC = 10:1 จะทำให้ทรานซิสเตอร์ถูกขับไปสู่สภาวะอิ่มตัว (saturation) วงจรเช่นนี้ใช้ประโยชน์ในวงจรดิจิตอล มีชื่อเรียก switching circuit หรือ two-state circuit
การใช้ทรานซิสเตอร์เป็นแหล่งจ่ายกระแส 5 การใช้ทรานซิสเตอร์เป็นแหล่งจ่ายกระแส ทำได้โดยจัดไบอัสเข้าที่ขาอิมิตเตอร์ Emitter-biased circuit มีค่าคงที่ จึงคงที่ด้วย (ไม่ขึ้นอยู่กับ RC) การใช้ความต้านทาน RE เป็นกุญแจสำคัญในการตรึงค่า IC (ค่า RE ยิ่งมากยิ่งดี IC จะเสถียร) เป็นลักษณะวงจรที่เหมาะสมมากเพื่อการใช้งานทรานซิสเตอร์ใน active region
6 ตัวอย่าง จงหา VCC และ VCE วิธีทำ ดังนั้น และ
7 ร่วมกันอภิปราย Base-biased LED driver Emitter-biased LED driver
8 เส้นโหลด และ จุด Q เส้นโหลดคืออะไร จุด Q คืออะไร
การใช้ทรานซิสเตอร์ในย่านแอกทีฟ กับการไบอัสด้วยวิธีแบ่งแรงดัน 9 การใช้ทรานซิสเตอร์ในย่านแอกทีฟ กับการไบอัสด้วยวิธีแบ่งแรงดัน ใช้งาน BJT ย่านแอกทีฟ ให้ประโยชน์อะไร ทำไมถึงต้องออกแบบการไบอัส วงจรต้นแบบของการไบอัสอิมิตเตอร์ การไบอัสด้วยวิธีแบ่งแรงดัน เมื่อมีแหล่งจ่ายเดียว