5.5 การใช้ MOSFET ในการขยายสัญญาณ การคำนวณหาจุดไบอัส
เพื่อลด non-linear term กระแสเดรนเมื่อ DC term Linear term Non-linear term เพื่อลด non-linear term
เมื่อ จาก พบว่า และเมื่อแทน ลงในสมการข้างบนจะได้ ตัวอย่างเช่น ถ้า MOSFET ที่มี K = 1 mA/V2 และถูกไบอัสให้มี ID = 1mA (VEFF = 1 V) จะมี gm = 2 mA/V (ซึ่งถือว่าต่ำเมื่อเทียบกับ BJT ซึ่งมี gm = IC/VT = 40 mA/V เมื่อ IC = 1mA)
Graphical Interpretation
อัตราขยายแรงดัน
Small-Signal Equivalent Circuit Models
5.6 วงจรขยาย MOSFET
Common-Source Amplifier
Common-Source Amplifier
Common-Gate Amplifier สมมุติให้ ro มีค่าสูงมากจนเป็นอนันต์
เมื่อนำผล ของ ro เข้ามาคิดด้วย
Common-Drain Amp.
5.7 FET ประเภทอื่น ๆ Depletion MOSFET อุปกรณ์ MOSFET ที่เราได้ทำการศึกษาในหัวข้อที่ผ่านเป็น MOSFET แบบ Enhancement Depletion MOSFET จะเป็น MOSFET ที่ผ่านกระบวนการผลิตพิเศษทำให้สามารถปรับค่า Vt ได้ อาทิ Depletion NMOS สามารถมี Vtn < 0 ได้ทำให้อุปกรณ์จะนำกระแสแม้กรณี VGS < 0
สัญลักษณ์ของ depletion-MOSFET PMOS
JFET JFET เป็นอุปกรณ์ประเภท FET อีกตัวหนึ่ง discrete JFET นิยมนำไปใช้ใน RF Amplifier ใน integrated circuit นิยมใช้เป็นภาคอินพุตของออปแอมป์ BiFET เพื่อเพิ่ม input resistance ของออปแอมป์ (เช่น LF155)
ย่านไตรโอด เราสามารถใช้ vGS ในการควบคุมความต้านทานระหว่าง Drain และ Source ได้ ดังนี้ vGS ยิ่งมีค่าน้อย (ต่ำกว่าศูนย์มาก) จะทำให้บริเวณปลอดพาหะกว้างขึ้นส่งผลให้ความกว้างของช่องเดินกระแสลดลง และความต้านทานระหว่าง D และ S เพิ่มขึ้น
ย่านคัตออฟ โดยถ้า vGS < VP (ซึ่งมีค่าน้อยกว่า 0) ช่องทางเดินของกระแสจะหายไป ทำให้ไม่มีกระแสไหลจาก D ไป S
ย่านอิ่มตัว ในการใช้งาน JFET ในการขยายสัญญาณ เราจะไบอัส JFET ในอยู่ในย่านอิ่มตัวนั่นคือ vGS > VP (เพื่อไม่ให้อุปกรณ์คัตออฟ) และ vDS > vGS - VP (เพื่อให้เกิดการ pinch-off ในลักษณะเดียวกับ MOSFET) ซึ่งจะทำให้
MESFET MESFET (Metal Semiconductor Field-Effect Transistor) สร้างขึ้นจากสารกึ่งตัวนำแกลเลียมอาร์เซไนด์ (Gallium Arsenide: GaAs) ซึ่งสารที่มีความคล่องตัว (mobility) ของอิเล็กตรอนสูง นิยมใช้ในงานความถี่สูง เช่นในวงจรรวมความถี่ไมโครเวฟ (monolithic microwave integrated circuits: MMICs) ภายในโทรศัพท์มือถือ ระบบสื่อสารดาวเทียม ระบบเรดาร์ เป็นต้น