5.5 การใช้ MOSFET ในการขยายสัญญาณ

Slides:



Advertisements
งานนำเสนอที่คล้ายกัน
อุปกรณ์โฟโต้ (Photo device)
Advertisements

ไฟฟ้ากระแสสลับ Alternating Current
คอยล์ ( coil ) สมพล พัทจารี วิศวกรรมไฟฟ้า.
พื้นฐานวงจรขยายแรงดัน
บทที่ 8 Power Amplifiers
วงจรลบแรงดัน (1).
EEET0485 Digital Signal Processing Asst.Prof. Peerapol Yuvapoositanon DSP3-1 ผศ.ดร. พีระพล ยุวภูษิตานนท์ ภาควิชา วิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ DSP 5 The Discrete.
รอยต่อ pn.
แนะนำอิเล็กทรอนิกส์กำลัง (Power Electronics)
ดร. พีระพล ยุวภูษิตานนท์ ภาควิชา วิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์
4.6 RTL (Resistor-Transistor Logic) Inverter
5.3 สัญลักษณ์และความสัมพันธ์แรงดัน-กระแสของ MOSFET
Bipolar Junction Transistor
Biomedical Electronics Biomedical Amplifiers
วงจรออปแอมป์ไม่เชิงเส้นและวงจรกำเนิดสัญญาณ
บทที่ 6 วงจรออปแอมป์เชิงเส้น
วงจรรวมหรือไอซี (Integrated Circuit, IC) และไอซีออปแอมบ์(OP-AMP )
X-Ray Systems.
โครงการแลกเปลี่ยนเรียนรู้ เกี่ยวกับระเบียบกระทรวงการคลัง
จำนวนเต็ม จำนวนเต็ม  ประกอบด้วย                   1. จำนวนเต็มบวก    ได้แก่  1 , 2 , 3 , 4, 5 , ....                   2.  จำนวนเต็มลบ      ได้แก่  -1.
ผศ.ดร. พีระพล ยุวภูษิตานนท์ ภาควิชา วิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์
การนำสายใยแก้วนำแสงมาเชื่อมต่อ หัวเชื่อมต่อที่นิยมใช้มี ดังนี้
ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (Bipolor Transistor)
12.5 อิเล็กทรอนิกส์เบื้องต้นและการประยุกต์
ระบบอนุภาค.
ดิจิตอลกับไฟฟ้า บทที่ 2.
CHAPTER 11 Two-port Networks
1 CHAPTER 2 Basic Laws A. Aurasopon Electric Circuits ( )
CHAPTER 4 Circuit Theorems
1 CHAPTER 1 Introduction A. Aurasopon Electric Circuits ( )
Second-Order Circuits
ตอนที่ 4 ความรู้พื้นฐานทางดิจิตอล
วงจรขยายความถี่สูง และ วงจรขยายกำลังความถี่สูง
สัปดาห์ที่ 14 ผลตอบสนองต่อความถี่ Frequency Response (Part II)
กำลังไฟฟ้าที่สภาวะคงตัวของวงจรไฟฟ้ากระแสสลับ
สัปดาห์ที่ 13 ผลตอบสนองต่อความถี่ Frequency Response (Part I)
สัปดาห์ที่ 6 วงจรไฟฟ้าสามเฟส Three-Phase Circuits (Part II)
สัปดาห์ที่ 15 โครงข่ายสองพอร์ท Two-Port Networks (Part I)
สัปดาห์ที่ 10 (Part II) การวิเคราะห์วงจรในโดเมน s
Electrical Circuit Analysis 2
การวิเคราะห์วงจรในโดเมน s Circuit Analysis in The s-Domain
การวิเคราะห์วงจรโดยใช้ฟูริเยร์
สัปดาห์ที่ 5 ระบบไฟฟ้าสามเฟส Three Phase System.
การวิเคราะห์วงจรโดยใช้ฟูริเยร์
ตัวต้านทาน ทำหน้าที่ ต้านทานและจำกัดการไหลของกระแสไฟฟ้าในวงจร
สารกึ่งตัวนำ คือ สารที่มีสภาพระหว่างตัวนำกับฉนวน โดยการเปลี่ยนแรงดันไฟเพื่อเปลี่ยนสถานะ สมชาติ แสนธิเลิศ.
โฟโตไดโอด (PHOTODIODE)
บทที่ 2 อินติเกรเตอร์ และ ดิฟเฟอเรนติเอเตอร์.
ยูเจที (UJT) ยูนิจังชั่น ทรานซิสเตอร์ (UNIJUNCTION TRANSISTOR) หรือเรียกย่อ ๆ ว่า ยูเจที (UJT) UJT ไปใช้งานได้อย่างกว้างขวางหลายอย่างเช่น ออสซิลเลเตอร์
ไดแอก ( DIAC ) .
เจเฟต Junction Field-effect transistor
มอสเฟท MOSFET.
ความรู้พื้นฐานทางวิศวกรรมไฟฟ้า(252282) หน่วยและปริมาณทางไฟฟ้า
กสิณ ประกอบไวทยกิจ ห้องวิจัยการออกแบบวงจรด้วยระบบคอมพิวเตอร์(CANDLE)
ความรู้พื้นฐานทางวิศวกรรมไฟฟ้า(252282) วงจรอิเล็กทรอนิกส์เบื้องต้น
ความรู้พื้นฐานทางวิศวกรรมไฟฟ้า(252282) กฎของโอห์ม การคำนวณและการวัด
รูปที่ 1 แสดงการต่อโหลดแบบผสม
รูปที่ 1 แสดงการต่อโหลดแบบขนาน
Engineering Electronics อิเล็กทรอนิกส์วิศวกรรม กลุ่ม 4
การสร้างแบบเสื้อและแขน
เรื่องการประยุกต์ของสมการเชิงเส้นตัวแปรเดียว
เรื่องการประยุกต์ของสมการเชิงเส้นตัวแปรเดียว
Electronic Circuits Design
นาย วิภาสวิชญ์ ชัชเวช ปวช . 2 แผนก อิเล็กทรอนิกส์ วิทยาลัยเทคนิคมาบตาพุด แผนก อิเล็กทรอนิกส์ วิทยาลัย เทคนิคมาบตาพุด.
ค่าความจริงของประโยคที่มีตัวบ่งปริมาณ 2 ตัว
สื่อการสอนด้วยโปรมแกรม “Microsoft Multipoint”
1 การกำจัดรีโซแนนซ์การบิดด้วย วงจรกรองแบบช่องบาก รูปที่ 5.1 โครงสร้างของระบบที่ใช้วงจรกรองแบบช่องบาก (5-1) (5-10) (5- 11)
Electronic Circuits Design
CHAPTER 18 BJT-TRANSISTORS.
Lecture 6 MOSFET Present by : Thawatchai Thongleam
ใบสำเนางานนำเสนอ:

5.5 การใช้ MOSFET ในการขยายสัญญาณ การคำนวณหาจุดไบอัส

เพื่อลด non-linear term กระแสเดรนเมื่อ DC term Linear term Non-linear term เพื่อลด non-linear term

เมื่อ จาก พบว่า และเมื่อแทน ลงในสมการข้างบนจะได้ ตัวอย่างเช่น ถ้า MOSFET ที่มี K = 1 mA/V2 และถูกไบอัสให้มี ID = 1mA (VEFF = 1 V) จะมี gm = 2 mA/V (ซึ่งถือว่าต่ำเมื่อเทียบกับ BJT ซึ่งมี gm = IC/VT = 40 mA/V เมื่อ IC = 1mA)

Graphical Interpretation

อัตราขยายแรงดัน

Small-Signal Equivalent Circuit Models

5.6 วงจรขยาย MOSFET

Common-Source Amplifier

Common-Source Amplifier

Common-Gate Amplifier สมมุติให้ ro มีค่าสูงมากจนเป็นอนันต์

เมื่อนำผล ของ ro เข้ามาคิดด้วย

Common-Drain Amp.

5.7 FET ประเภทอื่น ๆ Depletion MOSFET อุปกรณ์ MOSFET ที่เราได้ทำการศึกษาในหัวข้อที่ผ่านเป็น MOSFET แบบ Enhancement Depletion MOSFET จะเป็น MOSFET ที่ผ่านกระบวนการผลิตพิเศษทำให้สามารถปรับค่า Vt ได้ อาทิ Depletion NMOS สามารถมี Vtn < 0 ได้ทำให้อุปกรณ์จะนำกระแสแม้กรณี VGS < 0

สัญลักษณ์ของ depletion-MOSFET PMOS

JFET JFET เป็นอุปกรณ์ประเภท FET อีกตัวหนึ่ง discrete JFET นิยมนำไปใช้ใน RF Amplifier ใน integrated circuit นิยมใช้เป็นภาคอินพุตของออปแอมป์ BiFET เพื่อเพิ่ม input resistance ของออปแอมป์ (เช่น LF155)

ย่านไตรโอด เราสามารถใช้ vGS ในการควบคุมความต้านทานระหว่าง Drain และ Source ได้ ดังนี้ vGS ยิ่งมีค่าน้อย (ต่ำกว่าศูนย์มาก) จะทำให้บริเวณปลอดพาหะกว้างขึ้นส่งผลให้ความกว้างของช่องเดินกระแสลดลง และความต้านทานระหว่าง D และ S เพิ่มขึ้น

ย่านคัตออฟ โดยถ้า vGS < VP (ซึ่งมีค่าน้อยกว่า 0) ช่องทางเดินของกระแสจะหายไป ทำให้ไม่มีกระแสไหลจาก D ไป S

ย่านอิ่มตัว ในการใช้งาน JFET ในการขยายสัญญาณ เราจะไบอัส JFET ในอยู่ในย่านอิ่มตัวนั่นคือ vGS > VP (เพื่อไม่ให้อุปกรณ์คัตออฟ) และ vDS > vGS - VP (เพื่อให้เกิดการ pinch-off ในลักษณะเดียวกับ MOSFET) ซึ่งจะทำให้

MESFET MESFET (Metal Semiconductor Field-Effect Transistor) สร้างขึ้นจากสารกึ่งตัวนำแกลเลียมอาร์เซไนด์ (Gallium Arsenide: GaAs) ซึ่งสารที่มีความคล่องตัว (mobility) ของอิเล็กตรอนสูง นิยมใช้ในงานความถี่สูง เช่นในวงจรรวมความถี่ไมโครเวฟ (monolithic microwave integrated circuits: MMICs) ภายในโทรศัพท์มือถือ ระบบสื่อสารดาวเทียม ระบบเรดาร์ เป็นต้น