4.6 RTL (Resistor-Transistor Logic) Inverter

Slides:



Advertisements
งานนำเสนอที่คล้ายกัน
ไฟฟ้ากระแสสลับ Alternating Current
Advertisements

วิชา องค์ประกอบศิลป์สำหรับคอมพิวเตอร์ รหัส
ไม่อิงพารามิเตอร์เบื้องต้น
พื้นฐานวงจรขยายแรงดัน
บทที่ 8 Power Amplifiers
วงจรสวิตช์ประจุ(Switched Capacitor)
วงจรลบแรงดัน (1).
ผลกระทบของแรงดันอินพุตออฟเซ็ตต่อวงจรขยาย
รอยต่อ pn.
แนะนำอิเล็กทรอนิกส์กำลัง (Power Electronics)
ดร. พีระพล ยุวภูษิตานนท์ ภาควิชา วิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์
5.3 สัญลักษณ์และความสัมพันธ์แรงดัน-กระแสของ MOSFET
Bipolar Junction Transistor
วงจรออปแอมป์ไม่เชิงเส้นและวงจรกำเนิดสัญญาณ
5.5 การใช้ MOSFET ในการขยายสัญญาณ
บทที่ 6 วงจรออปแอมป์เชิงเส้น
Training Management Trainee
วงจรรวมหรือไอซี (Integrated Circuit, IC) และไอซีออปแอมบ์(OP-AMP )
X-Ray Systems.
Welcome to Electrical Engineering KKU.
โครงการแลกเปลี่ยนเรียนรู้ เกี่ยวกับระเบียบกระทรวงการคลัง
เนื้อหา ประเภทของโปรแกรมภาษา ขั้นตอนการพัฒนาโปรแกรม
ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (Bipolor Transistor)
ดิจิตอลกับไฟฟ้า บทที่ 2.
การแปลงภาพสีเทาให้เป็นภาพขาวดำ
CHAPTER 11 Two-port Networks
1 CHAPTER 2 Basic Laws A. Aurasopon Electric Circuits ( )
CHAPTER 4 Circuit Theorems
1 CHAPTER 1 Introduction A. Aurasopon Electric Circuits ( )
Second-Order Circuits
โรงไฟฟ้าพลังน้ำ Hydro Power Plant.
วงจรขยายความถี่สูง และ วงจรขยายกำลังความถี่สูง
สัปดาห์ที่ 14 ผลตอบสนองต่อความถี่ Frequency Response (Part II)
กำลังไฟฟ้าที่สภาวะคงตัวของวงจรไฟฟ้ากระแสสลับ
กำลังไฟฟ้าที่สภาวะคงตัวของวงจรไฟฟ้ากระแสสลับ
สัปดาห์ที่ 13 ผลตอบสนองต่อความถี่ Frequency Response (Part I)
สัปดาห์ที่ 6 วงจรไฟฟ้าสามเฟส Three-Phase Circuits (Part II)
สัปดาห์ที่ 15 โครงข่ายสองพอร์ท Two-Port Networks (Part I)
สัปดาห์ที่ 10 (Part II) การวิเคราะห์วงจรในโดเมน s
Electrical Circuit Analysis 2
Sinusiodal Steady-State Analysis
การวิเคราะห์วงจรในโดเมน s Circuit Analysis in The s-Domain
การวิเคราะห์วงจรโดยใช้ฟูริเยร์
สัปดาห์ที่ 5 ระบบไฟฟ้าสามเฟส Three Phase System.
ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า มหาวิทยาลัยสยาม
การวิเคราะห์วงจรโดยใช้ฟูริเยร์
สัปดาห์ที่ 16 โครงข่ายสองพอร์ท Two-Port Networks (Part II)
Asst.Prof.Wipavan Narksarp Siam University
บทที่ 3 การวิเคราะห์ Analysis.
สารกึ่งตัวนำ คือ สารที่มีสภาพระหว่างตัวนำกับฉนวน โดยการเปลี่ยนแรงดันไฟเพื่อเปลี่ยนสถานะ สมชาติ แสนธิเลิศ.
บทที่ 2 อินติเกรเตอร์ และ ดิฟเฟอเรนติเอเตอร์.
เครื่องมือวัดทางไฟฟ้าและอิเล็กทรอนิกส์
ยูเจที (UJT) ยูนิจังชั่น ทรานซิสเตอร์ (UNIJUNCTION TRANSISTOR) หรือเรียกย่อ ๆ ว่า ยูเจที (UJT) UJT ไปใช้งานได้อย่างกว้างขวางหลายอย่างเช่น ออสซิลเลเตอร์
ไดแอก ( DIAC ) .
กสิณ ประกอบไวทยกิจ ห้องวิจัยการออกแบบวงจรด้วยระบบคอมพิวเตอร์(CANDLE)
รูปที่ 1 แสดงการต่อโหลดแบบผสม
รูปที่ 1 แสดงการต่อโหลดแบบขนาน
Engineering Electronics อิเล็กทรอนิกส์วิศวกรรม กลุ่ม 4
เรื่องการประยุกต์ของสมการเชิงเส้นตัวแปรเดียว
เรื่องการประยุกต์ของสมการเชิงเส้นตัวแปรเดียว
เรื่องการประยุกต์ของสมการเชิงเส้นตัวแปรเดียว
การแก้ปัญหาโปรแกรม (Flowchart)
สื่อการสอนด้วยโปรมแกรม “Microsoft Multipoint”
วิธีเรียงสับเปลี่ยนและวิธีจัดหมู่
1 การกำจัดรีโซแนนซ์การบิดด้วย วงจรกรองแบบช่องบาก รูปที่ 5.1 โครงสร้างของระบบที่ใช้วงจรกรองแบบช่องบาก (5-1) (5-10) (5- 11)
1 การกำจัดรีโซแนนซ์การบิดด้วยตัว ชดเชยจากวิธีแผนผังค่าสัมประสิทธิ์ (CDM) รูปที่ 4.1 ระบบตามโครงสร้าง CDM.
ทฤษฎีของมิลล์แมน.
ตอนที่ ๒ เรื่องการวิเคราะห์โนด
โครงการเทคนิคและเทคโนโลยีสนับสนุนงานตรวจสอบ “Risk & Control” จัดโดย สำนักงานตรวจสอบภายใน จุฬาฯ วันที่ 22 กรกฎาคม 2553.
CHAPTER 18 BJT-TRANSISTORS.
ใบสำเนางานนำเสนอ:

4.6 RTL (Resistor-Transistor Logic) Inverter ย่าน forward active เมื่อ vI < 0.6 V ย่าน cut-off เมื่อแรงดัน vI มีค่าสูงพอ รอยต่อ BE อยู่ในสภาวะ on ทำให้ แรงดัน vO จะมีค่าลดต่ำลงอย่างรวดเร็วด้วยความชัน –β (RC/RB) ย่าน saturation เมื่อแรงดัน vO มีค่าต่ำลงเท่ากับ VCE(sat) (~0.2 V) BJT จะอยู่ในสภาวะอิ่มตัว การเพิ่ม vI จะทำให้ vO ตกลงอย่างช้าๆ ทำให้สามารถประมาณได้ว่าในย่านนี้ vO = vCE ~ VCE(sat)

วงจร inverter จะแปลงอินพุตระดับสูงให้เป็นเอาต์พุตระดับต่ำ และอินพุตระดับต่ำให้เป็นเอาต์พุตระดับสูง อย่างไรก็ตามถ้า VIL < vI < VIH แล้ววงจรจะไม่สามารถทำหน้าที่แปลงตรรกะได้อย่างถูกต้อง ในปัจจุบันวงจรลอจิกแบบ RTL ได้ถูกแทนที่ด้วยวงจรแบบอื่น ๆ (อาทิ TTL, CMOS และ ECL) จนหมดสิ้น

4.7 การใช้งาน BJT เป็นสวิตช์ขับกระแส

ตัวอย่าง ถ้ากำหนดให้ทรานซิสเตอร์มี β = 50 และ VCE(sat) = 0.1 V และ LED เมื่อสว่างจะมีแรงดันตกคร่อมประมาณ 1.5 V (1) จงหาค่า R ที่ทำให้ในสภาวะขับกระแส LED มีกระแสไหลผ่านไม่เกิน 15 mA (2) จงหาค่า RB ที่ทำให้กระแส iB มีค่าไม่เกิน 1 mA (βforced = 15)

4.8 การใช้ BJT ในการขยายสัญญาณ

การวิเคราะห์ไบอัส เราต้องตรวจสอบดูว่าทรานซิสเตอร์ทำงานในย่านแอ็คทีฟจริงหรือไม่ โดยการเปรียบเทียบค่าแรงดัน VCE กับค่าแรงดัน VCE(SAT)

การวิเคราะห์สัญญาณขนาดเล็ก (small-signal analysis) จากสมการข้างบน เมื่อแทน gm = IC/VT และทำการประมาณให้ ro >> RC จะได้

VCC = VRC+VCE ---> Trade Off ระหว่าง Gain และ Output Swing

ตัวอย่าง

ขั้นตอนที่ 1 การวิเคราะห์ไบอัส ขั้นตอนที่ 2 คำนวณหาค่าของพารามิเตอร์ของแบบจำลองสัญญาณขนาดเล็ก ขั้นตอนที่ 3 การวิเคราะห์ทางเอซีโดยใช้แบบจำลองสัญญาณขนาดเล็ก

4.9 การไบอัส BJT การไบอัสอย่างง่าย

การไบอัสด้วยแหล่งจ่ายกำลังคู่ เงื่อนไขที่ทำให้ IE (และ IC) ไม่แปรตาม

“Trade-Off” gain Signal swing DC stability

การเชิ่อมต่อด้วยตัวเก็บประจุ (Capacitive Coupling)

การไบอัสด้วยแหล่งจ่ายกำลังบวกลบ

การเชิ่อมต่อในวงจรขยาย Direct coupling Capacitive coupling

การไบอัสด้วยแหล่งจ่ายไฟเดี่ยว

ใช้ Voltage Divider I1 I2

และถ้าออกแบบให้

ตัวอย่าง ถ้า VCC = 12 V จงออกแบบวงจรเพื่อให้ได้ VRC = VCE =VRE = 4 V และ

การไบอัสโดยใช้แหล่งจ่ายกระแส กระแส IE เป็นอิสระจาก และ RB ดังนั้นเราสามารถเลือกใช้ค่า RB ได้