บทที่ 8 Power Amplifiers

Slides:



Advertisements
งานนำเสนอที่คล้ายกัน
PAIBOONKIJ SUPPLY LIMITED PARTNERSHIP
Advertisements

ไฟฟ้ากระแสสลับ Alternating Current
บทที่ 5 ระบบการป้องกันไฟไหม้และระเบิด
คอยล์ ( coil ) สมพล พัทจารี วิศวกรรมไฟฟ้า.
พื้นฐานวงจรขยายแรงดัน
วงจรลบแรงดัน (1).
ผลกระทบของแรงดันอินพุตออฟเซ็ตต่อวงจรขยาย
รอยต่อ pn.
แนะนำอิเล็กทรอนิกส์กำลัง (Power Electronics)
4.6 RTL (Resistor-Transistor Logic) Inverter
5.3 สัญลักษณ์และความสัมพันธ์แรงดัน-กระแสของ MOSFET
Bipolar Junction Transistor
วงจรออปแอมป์ไม่เชิงเส้นและวงจรกำเนิดสัญญาณ
5.5 การใช้ MOSFET ในการขยายสัญญาณ
บทที่ 6 วงจรออปแอมป์เชิงเส้น
X-Ray Systems.
Welcome to Electrical Engineering KKU.
โครงการแลกเปลี่ยนเรียนรู้ เกี่ยวกับระเบียบกระทรวงการคลัง
ภาวะโลกร้อน จัดทำโดย 1. ด.ช. ศักดิ์ดา โนนน้อย เลขที่ ด.ช. ณัฐชนน วงศ์สุริยา เลขที่ ด.ญ. มินตรา เสือภู่ เลขที่ ด.ญ. วราภรณ์ คอบุญทรง เลขที่
โครงสร้างอะตอม (Atomic structure)
บทที่ 1 อัตราส่วน.
ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (Bipolor Transistor)
CHAPTER 17 FOURIER SERIES
ลำโพง (Loud Speaker).
กลุ่มสาระการเรียนรู้ คณิตศาสตร์ โรงเรียนบ้านหนองกุง อำเภอนาเชือก
ดิจิตอลกับไฟฟ้า บทที่ 2.
CHAPTER 11 Two-port Networks
1 CHAPTER 2 Basic Laws A. Aurasopon Electric Circuits ( )
CHAPTER 4 Circuit Theorems
1 CHAPTER 1 Introduction A. Aurasopon Electric Circuits ( )
Second-Order Circuits
โรงไฟฟ้าพลังน้ำ Hydro Power Plant.
ควบคุมโรคจากแมลงพาหะ
การคำนวณค่าไฟฟ้า.
วงจรขยายความถี่สูง และ วงจรขยายกำลังความถี่สูง
แม่เหล็กไฟฟ้า Electro Magnet
สัปดาห์ที่ 14 ผลตอบสนองต่อความถี่ Frequency Response (Part II)
กำลังไฟฟ้าที่สภาวะคงตัวของวงจรไฟฟ้ากระแสสลับ
กำลังไฟฟ้าที่สภาวะคงตัวของวงจรไฟฟ้ากระแสสลับ
สัปดาห์ที่ 13 ผลตอบสนองต่อความถี่ Frequency Response (Part I)
สัปดาห์ที่ 6 วงจรไฟฟ้าสามเฟส Three-Phase Circuits (Part II)
สัปดาห์ที่ 15 โครงข่ายสองพอร์ท Two-Port Networks (Part I)
สัปดาห์ที่ 10 (Part II) การวิเคราะห์วงจรในโดเมน s
Electrical Circuit Analysis 2
การวิเคราะห์วงจรโดยใช้ฟูริเยร์
สัปดาห์ที่ 5 ระบบไฟฟ้าสามเฟส Three Phase System.
บทที่ 2 อุปกรณ์ไฟฟ้าทั่วไป (General Electric Equipment)*
อุปกรณ์ไฟฟ้าโดยทั่วไป (General Electric Equipment)
หน่วยที่ 4 การปรับปรุงตัวประกอบกำลัง
ตัวต้านทาน ทำหน้าที่ ต้านทานและจำกัดการไหลของกระแสไฟฟ้าในวงจร
ตัวเก็บประจุ (CAPACITOR)
การที่จะให้มันทำงานก็ต้องจ่ายไฟให้มันตามที่กำหนด
สารกึ่งตัวนำ คือ สารที่มีสภาพระหว่างตัวนำกับฉนวน โดยการเปลี่ยนแรงดันไฟเพื่อเปลี่ยนสถานะ สมชาติ แสนธิเลิศ.
ยูเจที (UJT) ยูนิจังชั่น ทรานซิสเตอร์ (UNIJUNCTION TRANSISTOR) หรือเรียกย่อ ๆ ว่า ยูเจที (UJT) UJT ไปใช้งานได้อย่างกว้างขวางหลายอย่างเช่น ออสซิลเลเตอร์
กสิณ ประกอบไวทยกิจ ห้องวิจัยการออกแบบวงจรด้วยระบบคอมพิวเตอร์(CANDLE)
1.ใช้ถ่านไฟฉายที่สามารถบรรจุไฟได้ใหม่
Engineering Electronics อิเล็กทรอนิกส์วิศวกรรม กลุ่ม 4
การคำนวณการใช้พลังงานไฟฟ้า
บทที่ 5 เครื่องกําเนิดไฟฟากระแสสลับ (AC Generator)
เคสและเพาเวอร์ซัพพลาย
เครื่องสำรองไฟฟ้า(UPS)
Electronic Circuits Design
การระเบิด Explosions.
บทที่ ๗ เรื่องทฤษฎีของเทวินิน
บทที่ ๘ ทฤษฎีของนอร์ตัน
หน่วยการเรียนรู้ที่ 6 ทฤษฎีบทพีทาโกรัส
ค่าความจริงของประโยคที่มีตัวบ่งปริมาณ 2 ตัว
DC motor.
วงจรอัดอากาศรถจักร ALSTHOM
Electronic Circuits Design
ใบสำเนางานนำเสนอ:

บทที่ 8 Power Amplifiers วงจรขับกระแสคลาส B วงจรขับกระแสคลาส AB ทรานซิสเตอร์กำลังและการระบายความร้อน

วงจรขยายนอกจากจะต้องทำหน้าที่ขยายแรงดันขนาดเล็กให้มีขนาดใหญ่ขึ้นแล้ว ในหลายกรณีเรายังให้ต้องการให้แรงดันที่ถูกขยายนั้นมีกำลังมากพอสำหรับการขับภาระ (load) ด้วย อย่างไรก็ตามเนื่องจากวงจรขยายแรงดัน (voltage amplifier) โดยทั่วไปมีประสิทธิภาพด้านกำลัง (power efficient) ค่อนข้างต่ำ ดังนั้นหากเราต้องการให้วงจรเหล่านี้จ่ายกระแสปริมาณมากออกมาขับภาระได้ วงจรจะกินกำลังมากและจะมีความสูญเสีย (loss) ในรูปของความร้อนสูงมากจนอาจทำให้อุปกรณ์ไหม้หรือระเบิดได้ ดังนั้นโดยทั่วไปเราจะนำสัญญาณที่ผ่านการขยายแรงดันแล้วมาเข้าวงจรขยายกำลัง (power amplifier) ซึ่งเป็นวงจรที่มีอัตราขยายประมาณหนึ่งแต่จะมีความสามารถในการจ่ายกระแสเอาต์พุตสูง [ ด้วยเหตุนี้บางครั้งเราจึงเรียกวงจรประเภทนี้ว่าวงจรขับกระแส (current driver) หรือ วงจรภาคเอาต์พุต (output stage) ]

วงจรขับกระแส Class A

Q1 ต้องสามารถทนต่อกำลังงาน VCCI ได้เป็นระยะเวลายาวนาน VEE = -VCC และ I = VCC/RL Q1 ต้องสามารถทนต่อกำลังงาน VCCI ได้เป็นระยะเวลายาวนาน

วงจรขับกระแส Class B

Cross-over distortion

วงจรขับกระแส Class AB

กำลังงานที่ปรากฏที่อุปกรณ์ Power BJTs กำลังงานที่ปรากฏที่อุปกรณ์

อุณหภูมิของตัวอุปกรณ์จะเท่ากับ อุณหภูมิสภาพแวดล้อม อุณหภูมิของตัวอุปกรณ์จะเท่ากับ ความต้านทานเชิงอุณหภูมิ (thermal resistance) อุปกรณ์ทุกชนิดจะสามารถทนความร้อนได้จำกัด ถ้าความร้อนของตัวอุปกรณ์เกินกว่าที่มันจะทนได้ มันอาจจะหลอมหรือระเบิดได้ วงจรสมมูลของการนำความร้อน (Equivalent Circuit for thermal-conduction process)

ในทางกลับกัน ถ้าเราทราบ TA และ TJ เราสามารถคำนวณได้ว่า กำลังไฟฟ้าที่ปรากฏที่ตัวอุปกรณ์คือ ดังนั้นหากเราทราบว่าอุณภูมิสูงสุดที่อุปกรณ์จะรับได้คือเท่าไหร่ เราสามารถคำนวณกำลังสูงสุดที่มันจะรับได้ว่า ตัวอย่างเช่น BJT รุ่น 2N1936 มี qJA= 37.5oC/W และ Tjmax = 175oC จะสามารถทนกำลังสูงสุด ที่อุณหภูมิสภาพแวดล้อม 25oC ได้เท่ากับ (175-25)/37.5 = 4 W ที่อุณหภูมิสภาพแวดล้อม 100oC ได้เท่ากับ (175-25)/37.5 = 2 W ที่อุณหภูมิสภาพแวดล้อม 175oC ได้เท่ากับ 0 W

โดยทั่วไป datasheet จะแสดง pDmax ของ BJT ที่อุณหภูมิต่าง ๆ 2N1936

การนำความร้อนของอุปกรณ์จะมีสองช่วงคือจากอุปกรณ์ภายในไปยังตัวถังและจากตัวถังไปยังสภาพแวดล้อม Medium power BJT 2N5191 (ตัวถัง TO-126) High Power BJT 2N6547 (ตัวถัง TO-3)

2N5191 (ตัวถัง TO-126) ถ้าเราต้องการให้ BJT ทนความร้อนได้ดีขึ้น เราจะต้องมีการช่วยระบายอากาศในแก่อุปกรณ์ด้วยการติดแผ่นระบายความร้อน (heatsink) เพื่อเป็นการเพิ่มการระบายความร้อนจากตัวถังไปยังสภาพแวดล้อม

แผ่นระบายความร้อน

ดังนั้น

สำหรับ 2N5191 (ตัวถัง TO-126) ถ้าให้ทำงานที่อุณหภูมิ 50oC โดยไม่ติด heatsink จะทนกำลังได้ เมื่อติด heatsink โดย และ จะทนกำลังได้

2N3771 (ตัวถัง TO-3) มี และ TJmax = 200oC เมื่อติด heatsink โดย และ ที่อุณหูมิสภาพแวดล้อม 25oC จะทนกำลังได้ ที่อุณหูมิสภาพแวดล้อม 50oC จะทนกำลังได้

BJT Save Operating Area (SOA)

สำหรับ 2N5191 BVCEO = 60 V และ ICmax = 7 A BJT Save Operating Area (SOA) สำหรับ 2N5191 BVCEO = 60 V และ ICmax = 7 A