พื้นฐานวงจรขยายแรงดัน

Slides:



Advertisements
งานนำเสนอที่คล้ายกัน
อุปกรณ์โฟโต้ (Photo device)
Advertisements

Combination Logic Circuits
ลอจิกเกต (Logic Gate).
Reader testing model by
คอยล์ ( coil ) สมพล พัทจารี วิศวกรรมไฟฟ้า.
บทที่ 8 Power Amplifiers
วงจรสวิตช์ประจุ(Switched Capacitor)
วงจรลบแรงดัน (1).
อัตราสวูล์กับแบนด์วิทธ์เต็มกำลัง
ผลกระทบของแรงดันอินพุตออฟเซ็ตต่อวงจรขยาย
รอยต่อ pn.
แนะนำอิเล็กทรอนิกส์กำลัง (Power Electronics)
4.6 RTL (Resistor-Transistor Logic) Inverter
5.3 สัญลักษณ์และความสัมพันธ์แรงดัน-กระแสของ MOSFET
Bipolar Junction Transistor
::::: การอบรมระยะสั้น :::::
Biomedical Electronics Biomedical Amplifiers
วงจรออปแอมป์ไม่เชิงเส้นและวงจรกำเนิดสัญญาณ
5.5 การใช้ MOSFET ในการขยายสัญญาณ
ดำเนินงานโดย สำนักฝึกอบรมและพัฒนาทรัพยากรบุคคล กับภาควิชาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ มหาวิทยาลัยเทคโนโลยีมหานคร.
บทที่ 6 วงจรออปแอมป์เชิงเส้น
“ โครงการอบรมหลักสูตรระยะสั้น ” เรื่อง รู้จักโปรแกรม OrCAD Capture PSPICE กับการวิเคราะห์วงจรไฟฟ้าสำหรับ อาจารย์ในระดับอาชีวศึกษา 14 ตุลาคม 2554 เวลา.
อุปกรณ์วัดคลื่นไฟฟ้าหัวใจแบบไร้สาย Wireless Electrocardiogram
โปรแกรมออกแบบวงจรกรองความถี่ต่ำผ่านโดยใช้ค่าความต้านทานและตัวเก็บประจุมาตรฐาน โดย  นายชญาน์ แหวนหล่อ รหัส นายธนวัฒน์ วัฒนราช รหัส
วงจรรวมหรือไอซี (Integrated Circuit, IC) และไอซีออปแอมบ์(OP-AMP )
ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ (Bipolor Transistor)
ลำโพง (Loud Speaker).
12.5 อิเล็กทรอนิกส์เบื้องต้นและการประยุกต์
การซ่อมบำรุงไมโครคอมพิวเตอร์ (Intro.)
ดิจิตอลกับไฟฟ้า บทที่ 2.
ระบบกลไก.
CHAPTER 11 Two-port Networks
CHAPTER 4 Circuit Theorems
Sinusoidal Steady-State Analysis
วงจรขยายความถี่สูง และ วงจรขยายกำลังความถี่สูง
สัปดาห์ที่ 14 ผลตอบสนองต่อความถี่ Frequency Response (Part II)
สัปดาห์ที่ 13 ผลตอบสนองต่อความถี่ Frequency Response (Part I)
สัปดาห์ที่ 15 โครงข่ายสองพอร์ท Two-Port Networks (Part I)
สัปดาห์ที่ 10 (Part II) การวิเคราะห์วงจรในโดเมน s
Sinusiodal Steady-State Analysis
การวิเคราะห์วงจรในโดเมน s Circuit Analysis in The s-Domain
สัปดาห์ที่ 5 ระบบไฟฟ้าสามเฟส Three Phase System.
สัปดาห์ที่ 16 โครงข่ายสองพอร์ท Two-Port Networks (Part II)
ตัวต้านทาน ทำหน้าที่ ต้านทานและจำกัดการไหลของกระแสไฟฟ้าในวงจร
การที่จะให้มันทำงานก็ต้องจ่ายไฟให้มันตามที่กำหนด
สารกึ่งตัวนำ คือ สารที่มีสภาพระหว่างตัวนำกับฉนวน โดยการเปลี่ยนแรงดันไฟเพื่อเปลี่ยนสถานะ สมชาติ แสนธิเลิศ.
บล็อกไดอะแกรมภาคจูนเนอร์
โฟโตไดโอด (PHOTODIODE)
เป็นไอซี ที่นิยมใช้กันมากในการนำ ไปสร้างสัญญาณรูปคลื่นแบบต่างๆ
ซิลิคอน คอนโทรล สวิตช์ (SCS)
คือ อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ที่ทำหน้าที่ขยายสัญญาณ
บทที่ 2 อินติเกรเตอร์ และ ดิฟเฟอเรนติเอเตอร์.
ยูเจที (UJT) ยูนิจังชั่น ทรานซิสเตอร์ (UNIJUNCTION TRANSISTOR) หรือเรียกย่อ ๆ ว่า ยูเจที (UJT) UJT ไปใช้งานได้อย่างกว้างขวางหลายอย่างเช่น ออสซิลเลเตอร์
ไดแอก ( DIAC ) .
เจเฟต Junction Field-effect transistor
กสิณ ประกอบไวทยกิจ ห้องวิจัยการออกแบบวงจรด้วยระบบคอมพิวเตอร์(CANDLE)
ความรู้พื้นฐานทางวิศวกรรมไฟฟ้า(252282) กฎของโอห์ม การคำนวณและการวัด
เทอร์มิสเตอร์และวาริสเตอร์
Engineering Electronics อิเล็กทรอนิกส์วิศวกรรม กลุ่ม 4
ระบบควบคุมอัตโนมัตในงานอุตสาหกรรม
Electronic Circuits Design
บทที่ ๗ เรื่องทฤษฎีของเทวินิน
บทที่ ๘ ทฤษฎีของนอร์ตัน
1 การกำจัดรีโซแนนซ์การบิดด้วย วงจรกรองแบบช่องบาก รูปที่ 5.1 โครงสร้างของระบบที่ใช้วงจรกรองแบบช่องบาก (5-1) (5-10) (5- 11)
1 การกำจัดรีโซแนนซ์การบิดด้วยตัว ชดเชยจากวิธีแผนผังค่าสัมประสิทธิ์ (CDM) รูปที่ 4.1 ระบบตามโครงสร้าง CDM.
ส่วนประกอบของวงจรไฟฟ้า
Electronic Circuits Design
CHAPTER 18 BJT-TRANSISTORS.
EB10 (2) มีผลการดำเนินการตามแผนปฏิบัติการป้องกันและปราบปรามการทุจริต
EB10 (2) มีผลการดำเนินการตามแผนปฏิบัติการป้องกันและปราบปรามการทุจริต
ใบสำเนางานนำเสนอ:

พื้นฐานวงจรขยายแรงดัน โดย AV คือ ‘อัตราขยายแรงดัน’ rin คือ ‘ความต้านทานขาเข้า’ rout คือ ‘ความต้านทานขาออก’ สัญลักษณ์และแบบจำลองอย่างง่ายของวงจรขยายแรงดัน (แบบจำลองนี้ยังไม่สมบูรณ์เพราะได้ละเลยพารามิเตอร์การป้อนกลับไป)

การวิเคราะห์หา Av และ rin การวิเคราะห์หา rout ทั้งนี้จะเห็นได้ว่าวงจรขยายแรงดันที่ดีควรมี rin สูงและ rout ต่ำ เพื่อให้ ‘ผลของภาระ’ (loading effect) ที่ฝั่งอินพุตและฝั่งเอาต์พุตไม่ส่งผลต่ออัตราขยายรวม ของวงจรมากนัก

4.10 วงจรขยาย BJT พื้นฐาน คอลเลกเตอร์ร่วม (Common Collector) เบสร่วม (Common Base) อีมิตเตอร์ร่วม (Common Emitter)

วงจรขยายอีมิตเตอร์ร่วม a b c d

(ต่อ RL ไม่มีผลต่อ rin) จากวงจรขยายอีมิตเตอร์รูป c อัตราขยายแรงดัน ความต้านทานขาเข้า (ต่อ RL ไม่มีผลต่อ rin) ในกรณีที่ ro >> RC Av = -gmRC

ความต้านทานขาออก

วงจรกันชนแรงดัน (voltage buffer) ที่มี AV ใกล้เคียงหนึ่ง มี rin ที่สูงมาก และ rout ต่ำมาก

วงจรขยายคอลเลกเตอร์ร่วม a b c d

จากวงจรขยายคอลเลกเตอร์รูป c ความต้านทานขาเข้า เมื่อ ib = ix จะได้ เมื่อแทนค่า

อัตราขยายแรงดัน เมื่อแทนค่า

ความต้านทานขาออก สังเกตได้ว่า หรือ เมื่อแทนค่า

วงจรขยายแบบเบสร่วม วงจรสมมูลสำหรับสัญญาณขนาดเล็ก

ความต้านทานขาเข้า ละเลยผลของ ro ที่มีต่อการทำงานของวงจร เมื่อแทน vx = veb เมื่อแทน จะสังเกตได้ว่า veb = - vbe = Note ในบางกรณีเราไม่สามารถละเลย ro ได้ เช่น ถ้า ro = RC แล้ว rin ~ 2(ro+RC//RL)/gmro ~ 2/gm

อัตราขยายแรงดัน เมื่อแทน vx = veb ความต้านทานขาออก