ดาวน์โหลดงานนำเสนอ
งานนำเสนอกำลังจะดาวน์โหลด โปรดรอ
1
มอสเฟท MOSFET
2
ความเป็นมา : เฟท ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า (Field-effect transistor: FET) เรียกสั้น ๆ ว่า เฟท ใช้สนามไฟฟ้าในการเปลี่ยนแปลงสภาพของสารกึ่งตัวนำเพื่อให้เกิดการนำกระแสเมื่อได้รับแรงดันไฟฟ้าที่เหมาะสม
3
เฟทแบ่งออกเป็น 2 กลุ่ม คือ ทรานซิสเตอร์สนาม ไฟ้ฟาแบบรอยต่อ(Junction Field Effect Transistor) หรือ เจเฟท (JFET) และทรานซิสเตอร์ สนามไฟฟ้าแบบโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งนำ (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) หรือ มอสเฟท (MOSFET)
4
แชนแนล N (N-Channel) - แชนแนล P (P-Channel)
มอสเฟท :ประเภท แบ่งเป็น 2 ประเภท มอสเฟทแบบดีพลีชั่น (Depletion MOSFET) เรียกสั้นๆ ว่า ดีมอสเฟท แบ่งเป็น 2 แบบ แชนแนล N (N-Channel) - แชนแนล P (P-Channel) มอสเฟทแบบเอนฮานซ์เมนต์(Enhancement MOSFET) เรียกสั้น ว่า อี มอสเฟท แบ่งเป็น 2 แบบ - แชนแนล N (N-Channel) - แชนแนล P (P-Channel) Note : โดยปกติการใช้มอสเฟทในวงจรกำลังมักเป็น อีมอสเฟท
5
มอสเฟท :รูปลักษณ์ภายนอก
6
ขั้วซอร์ส (Source : S) ขั้วเดรน (Drain : D) ขั้วเกท (Gate : G)
มอสเฟต : ขาต่อใช้งาน มี 3 ขั้ว ขั้วซอร์ส (Source : S) ขั้วเดรน (Drain : D) ขั้วเกท (Gate : G)
7
มอสเฟท :สัญลักษณ์ ดีมอสเฟท
N-Channel P-Channel สัญลักษณ์ของดีมอสเฟท
8
มอสเฟท :สัญลักษณ์ อีมอสเฟท
N-Channel P-Channel สัญลักษณ์ของอีมอสเฟท
12
คุณลักษณะของมอสเฟท : บริเวณการทำงาน
มี 3 บริเวณ บริเวณคัตออฟ (Cutoff region) เมื่อ VGS≤VT บริเวณพินช์ออฟหรือบริเวณอิ่มตัว (Pinch-off or Saturation region) เมื่อ VDS≤VGS –VT บริเวณที่เป็นเชิงเส้น (Linear region) เมื่อ VDS≥VGS –VT บางครั้งใช้ VGS(TH)
13
ประโยชน์และการใช้งานของมอสเฟทกำลัง
-มีความเร็วในการสวิตช์สูงมาก (เป็นNanosecond) จึง เหมาะกับวงจร Converter ที่มีความถี่สูงและมีกำลังไฟฟ้าต่ำ - ปัญหาในการคายประจุไฟฟ้าสถิต (Electrostatic discharge) ภายในตัวเอง การป้องกันขณะเกิดฟอลต์แบบลัดวงจร (Short circuit fault) ทำได้ยาก
14
จบการนำเสนอ
งานนำเสนอที่คล้ายกัน
