งานนำเสนอกำลังจะดาวน์โหลด โปรดรอ

งานนำเสนอกำลังจะดาวน์โหลด โปรดรอ

ความรู้พื้นฐานทาง วิศวกรรมไฟฟ้า (252282) วงจรอิเล็กทรอนิกส์เบื้องต้น กสิณ ประกอบไวทยกิจ ห้องวิจัยการออกแบบวงจรด้วยระบบคอมพิวเตอร์ (CANDLE) ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า.

งานนำเสนอที่คล้ายกัน


งานนำเสนอเรื่อง: "ความรู้พื้นฐานทาง วิศวกรรมไฟฟ้า (252282) วงจรอิเล็กทรอนิกส์เบื้องต้น กสิณ ประกอบไวทยกิจ ห้องวิจัยการออกแบบวงจรด้วยระบบคอมพิวเตอร์ (CANDLE) ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า."— ใบสำเนางานนำเสนอ:

1 ความรู้พื้นฐานทาง วิศวกรรมไฟฟ้า (252282) วงจรอิเล็กทรอนิกส์เบื้องต้น กสิณ ประกอบไวทยกิจ ห้องวิจัยการออกแบบวงจรด้วยระบบคอมพิวเตอร์ (CANDLE) ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่

2 วัตถุประสงค์ มีความรู้เบื้องต้นเกี่ยวกับสารกึ่งตัวนำ เข้าใจการนำไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนำ เข้าใจคุณสมบัติสารกึ่งตัวนำแบบ N และ P เข้าใจคุณสมบัติของไดโอด เข้าใจวงจรไดโอดอย่างง่าย อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ

3 ความรู้เบื้องต้นเกี่ยวกับตัวนำ ไฟฟ้า

4

5

6 - บอนด์ (Bond) คือการยึดเหนี่ยวของอะตอม - โควาเลนซ์บอนด์ เป็นการยึดเหนี่ยวของอะตอม โดยใช้วาเลนซ์อิเล็กตรอน ร่วมกัน

7 ฟิสิกส์ของสารกึ่งตัวนำ - เยอรมันเนียม (Germanum) มี อิเล็กตรอนทั้งหมด 32 ตัว - ซิลิกอน (Silicon) มีอิเล็กตรอน ทั้งหมด 14 ตัว ทั้งสองธาตุมีวาเลนซ์อิเล็กตรอน 4 ตัว

8 โฮลและอิเล็กตรอนอิสระ - โฮล (Hole) มีลักษณะ คล้ายประจุบวก แต่ไม่ใช่ เป็นช่องว่างที่ เกิดขึ้น เมื่ออิเล็กตรอนได้ รับ พลังงานจากภายนอก ทำให้ หลุดจากบอนด์

9 การไหลของกระแสในสารกึ่ง ตัวนำบริสุทธิ์ - ในอุณหภูมเท่ากันจำนวน อิเล็กตรอนอิสระ ของเยอรมันเนียมจะ มากกว่าอิเล็กตรอน อิสระในซิลิกอน

10 การโด๊ป - การโด๊ป (Doping) กระบวนการเติมอะตอม ของสารเจือปน (Impurity) ลงในสารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์ (Intrinsic Semiconductor) เราเรียกสารพวกนี้ ว่าสารกึ่งตัวนำไม่บริสุทธิ์ (Extrinsic Semiconductor)

11 สารกึ่งตัวนำชนิด N เติมธาตุที่มีวาเลนซ์อิเล็กตรอน 5 ตัวลงไป เช่น สารหนู พลวง ฟอสฟอรัส ดังนั้นอะตอมของธาตุนี้จึงมีอิเล็กตรอนเหลืออยู่ 1 ตัว ซึ่งเมื่อได้รับพลังงาน จากภายนอกก็จะทำให้ธาตุเหล่านี้นำกระแสได้ ทันที

12 สารกึ่งตัวนำชนิด P เติมธาตุที่มีวาเลนซ์อิเล็กตรอน 3 ตัวลงไป เช่น โบรอน อลูมิเนียม แกลเลี่ยม ดังนั้นอะตอมของธาตุนี้จึงมีโฮลมากกว่าจำนวน อิเล็กตรอน ซึ่งเมื่อได้รับ พลังงานจากภายนอกก็จะทำให้ธาตุเหล่านี้ นำกระแสได้ทันที

13 หัวต่อ P-N ที่บริเวณรอยต่อเนื้อสาร N และ P จะเกิดการ เคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนและ โฮลผ่านรอยต่อเข้าหากัน เกิดเป็นช่วงรอยต่อที่ เรียกว่า ช่วงดีพลีชั่น (De- pletion region) ก่อนที่จะเกิดรอยต่อ ทั้งสาร N และ P จะมีค่าไฟฟ้าเป็น กลาง แต่หลังจากเกิดช่วงดีพลีชั่นจะเกิดลักษณะ ดังรูป

14 การไหลของกระแสเมื่อให้ ไบแอสตรง

15 การไหลของกระแสเมื่อให้ ไบแอสกลับ

16 คุณสมบัติของไดโอด

17

18 การนำเอาไดโอดไปใช้งาน

19 วงจร เรคติไฟเออร์ (Rectifier) วงจรเรคติไฟเออร์ (Rectifier) คือวงจรไฟฟ้าที่มี คุณสมบัติในการแปลง สัญญาณกระแสไฟฟ้าสลับให้เป็นสัญญาณไฟฟ้า กระแสตรง วงจรฮาล์ฟเวฟเรคติไฟเออร์ (Half Wave Rectifier)

20 วงจร เรคติไฟเออร์ (Rectifier)

21 ข้อเสียของวงจรฮาล์ฟเวฟเรคติไฟเออร์ - จ่ายกระแสให้โหลดที่มีจำนวนไม่มาก - ทำให้ประสิทธิภาพของหม้อแปลงลดลง เนื่องจากเกิดการอิ่มตัว ในแกนเหล็ก - Output มีการกระเพื่อมสูงมาก

22 วงจร เรคติไฟเออร์ (Rectifier) วงจรบริดส์เรคติไฟเออร์ (Bridge Rectifier)

23 วงจร เรคติไฟเออร์ (Rectifier)

24

25 การต่อตัวเก็บประจุเข้าไปจะทำให้เราได้สัญญาณที่มีความเรียบ ใกล้เคียงสัญญาณกระแสตรงมากยิ่งขึ้น

26 อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ Transistor Thyristor


ดาวน์โหลด ppt ความรู้พื้นฐานทาง วิศวกรรมไฟฟ้า (252282) วงจรอิเล็กทรอนิกส์เบื้องต้น กสิณ ประกอบไวทยกิจ ห้องวิจัยการออกแบบวงจรด้วยระบบคอมพิวเตอร์ (CANDLE) ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า.

งานนำเสนอที่คล้ายกัน


Ads by Google