ดาวน์โหลดงานนำเสนอ
งานนำเสนอกำลังจะดาวน์โหลด โปรดรอ
1
ความรู้พื้นฐานทางวิศวกรรมไฟฟ้า(252282) วงจรอิเล็กทรอนิกส์เบื้องต้น
ความรู้พื้นฐานทางวิศวกรรมไฟฟ้า(252282) วงจรอิเล็กทรอนิกส์เบื้องต้น กสิณ ประกอบไวทยกิจ ห้องวิจัยการออกแบบวงจรด้วยระบบคอมพิวเตอร์(CANDLE) ภาควิชาวิศวกรรมไฟฟ้า คณะวิศวกรรมศาสตร์ มหาวิทยาลัยเชียงใหม่
2
วัตถุประสงค์ มีความรู้เบื้องต้นเกี่ยวกับสารกึ่งตัวนำ
เข้าใจการนำไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนำ เข้าใจคุณสมบัติสารกึ่งตัวนำแบบ N และ P เข้าใจคุณสมบัติของไดโอด เข้าใจวงจรไดโอดอย่างง่าย อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ
3
ความรู้เบื้องต้นเกี่ยวกับตัวนำไฟฟ้า
4
ความรู้เบื้องต้นเกี่ยวกับตัวนำไฟฟ้า
5
ความรู้เบื้องต้นเกี่ยวกับตัวนำไฟฟ้า
6
ความรู้เบื้องต้นเกี่ยวกับตัวนำไฟฟ้า
- บอนด์(Bond) คือการยึดเหนี่ยวของอะตอม - โควาเลนซ์บอนด์ เป็นการยึดเหนี่ยวของอะตอมโดยใช้วาเลนซ์อิเล็กตรอน ร่วมกัน
7
ฟิสิกส์ของสารกึ่งตัวนำ
- เยอรมันเนียม(Germanum) มีอิเล็กตรอนทั้งหมด 32 ตัว - ซิลิกอน(Silicon) มีอิเล็กตรอนทั้งหมด 14 ตัว ทั้งสองธาตุมีวาเลนซ์อิเล็กตรอน 4 ตัว
8
โฮลและอิเล็กตรอนอิสระ
- โฮล(Hole) มีลักษณะคล้ายประจุบวก แต่ไม่ใช่ เป็นช่องว่างที่ เกิดขึ้นเมื่ออิเล็กตรอนได้ รับพลังงานจากภายนอก ทำให้หลุดจากบอนด์
9
การไหลของกระแสในสารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์
- ในอุณหภูมเท่ากันจำนวนอิเล็กตรอนอิสระ ของเยอรมันเนียมจะมากกว่าอิเล็กตรอน อิสระในซิลิกอน
10
การโด๊ป - การโด๊ป(Doping) กระบวนการเติมอะตอมของสารเจือปน(Impurity)
ลงในสารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์(Intrinsic Semiconductor) เราเรียกสารพวกนี้ ว่าสารกึ่งตัวนำไม่บริสุทธิ์(Extrinsic Semiconductor)
11
สารกึ่งตัวนำชนิด N เติมธาตุที่มีวาเลนซ์อิเล็กตรอน 5 ตัวลงไป เช่น สารหนู พลวง ฟอสฟอรัส ดังนั้นอะตอมของธาตุนี้จึงมีอิเล็กตรอนเหลืออยู่ 1 ตัว ซึ่งเมื่อได้รับพลังงาน จากภายนอกก็จะทำให้ธาตุเหล่านี้นำกระแสได้ทันที
12
สารกึ่งตัวนำชนิด P เติมธาตุที่มีวาเลนซ์อิเล็กตรอน 3 ตัวลงไป เช่น โบรอน อลูมิเนียม แกลเลี่ยม ดังนั้นอะตอมของธาตุนี้จึงมีโฮลมากกว่าจำนวนอิเล็กตรอน ซึ่งเมื่อได้รับ พลังงานจากภายนอกก็จะทำให้ธาตุเหล่านี้นำกระแสได้ทันที
13
หัวต่อ P-N ที่บริเวณรอยต่อเนื้อสาร N และ P จะเกิดการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนและ โฮลผ่านรอยต่อเข้าหากัน เกิดเป็นช่วงรอยต่อที่เรียกว่า ช่วงดีพลีชั่น (De- pletion region) ก่อนที่จะเกิดรอยต่อ ทั้งสาร N และ P จะมีค่าไฟฟ้าเป็น กลาง แต่หลังจากเกิดช่วงดีพลีชั่นจะเกิดลักษณะดังรูป
14
การไหลของกระแสเมื่อให้ไบแอสตรง
15
การไหลของกระแสเมื่อให้ไบแอสกลับ
16
คุณสมบัติของไดโอด
17
คุณสมบัติของไดโอด
18
การนำเอาไดโอดไปใช้งาน
19
วงจรเรคติไฟเออร์ (Rectifier)
สัญญาณกระแสไฟฟ้าสลับให้เป็นสัญญาณไฟฟ้ากระแสตรง วงจรฮาล์ฟเวฟเรคติไฟเออร์ (Half Wave Rectifier)
20
วงจรเรคติไฟเออร์ (Rectifier)
21
วงจรเรคติไฟเออร์ (Rectifier)
ข้อเสียของวงจรฮาล์ฟเวฟเรคติไฟเออร์ - จ่ายกระแสให้โหลดที่มีจำนวนไม่มาก - ทำให้ประสิทธิภาพของหม้อแปลงลดลงเนื่องจากเกิดการอิ่มตัว ในแกนเหล็ก - Output มีการกระเพื่อมสูงมาก
22
วงจรเรคติไฟเออร์ (Rectifier)
วงจรบริดส์เรคติไฟเออร์ (Bridge Rectifier)
23
วงจรเรคติไฟเออร์ (Rectifier)
24
วงจรเรคติไฟเออร์ (Rectifier)
25
วงจรเรคติไฟเออร์ (Rectifier)
การต่อตัวเก็บประจุเข้าไปจะทำให้เราได้สัญญาณที่มีความเรียบ ใกล้เคียงสัญญาณกระแสตรงมากยิ่งขึ้น
26
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ
Thyristor Transistor
งานนำเสนอที่คล้ายกัน
