งานนำเสนอกำลังจะดาวน์โหลด โปรดรอ

งานนำเสนอกำลังจะดาวน์โหลด โปรดรอ

Memory Pin Connections 1. Address Inputs 2. Data Input/Outputs 3. Selection Input 4. Control Input 4.1 Read 4.2 Write.

งานนำเสนอที่คล้ายกัน


งานนำเสนอเรื่อง: "Memory Pin Connections 1. Address Inputs 2. Data Input/Outputs 3. Selection Input 4. Control Input 4.1 Read 4.2 Write."— ใบสำเนางานนำเสนอ:

1

2 Memory Pin Connections 1. Address Inputs 2. Data Input/Outputs 3. Selection Input 4. Control Input 4.1 Read 4.2 Write

3 คุณสมบัติของหน่วยความจำที่ดีประกอบด้วย Z สามารถเข้าถึงข้อมูลโดยการสุ่มได้ a ข้อมูลในแต่ละไบต์จะต้องมีตำแหน่งเป็นของ ตัวเอง k การอ่านหรือการเขียนข้อมูลจะต้องทำเสร็จ ภายใน 1 ไซเคิล

4 Type of Memory 1. Read Only Memory (ROM) 2. Random Access Memory (RAM) ROM มีดังนี้คือ 1. Mask Programmable ROM 2. Field Programmable ROM 2.1 Fusible Link PROM 2.2 UV-light-erasable PROM 2.3 Electrical Erasable PROM

5 Mask Programmable ROM เป็นการใช้ไดโอดต่อในลักษณะ ของ Array การโปรแกรมจะ โปรแกรมมาจากโรงงานตาม ความต้องการของลูกค้า ในทาง การค้าของ IC ชนิดนี้ไม่เป็นที่ นิยม เพราะการประกอบ Chip นั้น ต้องใช้ wafer จำนวนมาก หลายชั้น ดังนั้นจึงไม่สามารถ รับประกันได้ว่า Chip ตัวใดดี หรือเสีย ทำให้ Mask Programmable ROM ไม่เป็นที่นิยม

6 Fusible link PROMs เป็น PROMs ชนิดหนึ่งที่ใช้ฟิวส์ที่มีจุดหลอมเหลวต่ำ มีลักษณะคล้ายกับ Mask Programmable ROMs เพียงแต่เปลี่ยนจาก ไดโอดเป็นฟิวส์แทน การโปรแกรมใช้ Current pulse ให้กับจุดที่ต้องการ ซึ่งส่งผลให้เป็นการกำหนดที่แน่นอนระหว่างลอจิก "0" กับลอจิก "1" โดยทั่วไปจะใช้งานเป็น ROM boot ในไมโครคอมพิวเตอร์ ซึ่งมีความเร็วใน การเข้าถึงข้อมูลประมาณ 35 ns

7 UV - Light Erasable PROM (EPROM) เป็น หน่วยความจำที่สามารถโปรแกรมใหม่ได้ การลบข้อมูลจะใช้ แสงอุลต้าไวโอเร็ท (Ultraviolet) ดังตัวอย่างเป็น หน่วยความจำรอมเบอร์ 2764 ที่มีขนาด 8Kbyte

8 EPROM เป็นหน่วยความจำที่นิยมใช้งาน โดยโครงสร้างภายในจะใช้หลัก ของ Floating-gate avalanche-injection MOS (FAMOS) ในการ เก็บประจุในแต่ละเซล ตัวถังของทุกตัวต้องมีหน้าต่างควอท์ซ (Quartz) เพื่อให้แสง UV ผ่านไปลบข้อมูลที่อยู่ในหน่วยความจำ โดยใช้ระยะเวลาใน การลบข้อมูลประมาณ นาที การใช้งานเมื่อโปรแกรมข้อมูลเสร็จแล้ว จะต้องปิดหน้าต่างควอท์ซโดยไม่ให้แสงผ่านเข้าไปได้ ไม่ว่าจะเป็น แสงแดด แสงจากหลอดฟูลออเรสเซนท์ ซึ่งแสงเหล่านี้สามารถทำให้ ข้อมูลที่โปรแกรมไว้หายไปได้ โดยแสงแดดสามารถทำให้ข้อมูลหารไปได้ ถ้าได้รับแสงแดด 1 สัปดาห์ หรือรับแสงจากหลอดฟลูออเรสเซนท์เป็นเวลา 3 ปี

9 Electrically Erasable PROM (E 2 PROM) เป็นหน่วยความจำที่มีข้อ แตกต่างจาก EPROM ดังนี้ _ การลบข้อมูลของ EPROM จะต้องถอดตัว EPROM ออกจาก วงจรก่อน c EPROM ไม่สามารถลบข้อมูลเป็นไบต์ได้ d หน้าต่างควอท์ซมีราคาแพง จากเหตุผลดังกล่าว ทำให้ต้องมีการพัฒนาอุปกรณ์ที่มี ความสามารถที่สูงขึ้น สามารถลบข้อมูลเป็นไบต์ได้ ไม่มีหน้าต่างควอท์ซ ที่มีราคาแพง โดยได้พัฒนามาเป็น หน่วยความจำแบบ Electrically Erasable ส่งผลให้การแก้ไขโปรแกรม การลบข้อมูลสามารถทำได้ใน แผงวงจรโดยไม่ต้องถอดตัวหน่วยความจำออกก่อน และยังสามารถ ทำงานได้ง่าย โดยข้อแตกต่างของ FAMOS กับ E 2 PROM

10

11 RAM มีดังนี้คือ C Static RAM

12 Dynamic RAM

13 Memory Packages DIP (Dual Inline Packages)

14 Memory Packages SIMM (Single Inline Memory Modules) ขนาด 30 pins 8 Bits + 1 Parity

15 Memory Packages SIMM (Single Inline Memory Modules) ขนาด 72 pins 32 Bits No Parity

16 Memory Packages DIMM (Dual Inline Memory Modules) ขนาด 168 pins 64 Bits

17 DRAM Technology ' EDO Extended Data Out D FPM Fast Page Mode _ SDRAM Synchronous DRAM h SLDRAM Synchronous Link DRAM k DRDRAM Direct Rambus DRAM U DDR SDRAM Double Data Rate SDRAM

18 มี 2 แบบคือ ' เพิ่มความจุ รูปแบบการต่อหน่วยความจำ

19 Z เพิ่มขนาดของข้อมูล (DATA BUS) รูปแบบการต่อหน่วยความจำ

20 รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 16 Bits การเชื่อมต่อกับไมโครโพรเซสเซอร์ขนาด 16 Bits จะแบ่ง ออกเป็น 2 Bank โดยใช้สัญญาณ BHE กับ A 0 เป็นตัวควบคุม การติดต่อระหว่าง 8 Bits บนกับ 8 Bits ล่าง

21 BHEBLE(A 0 )Function Bits Access or Transfer 0 18 Bits High bank Access 1 08 Bits Low Bank Access 1 1No Bank Access รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 16 Bits

22

23 รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 32 Bits การเชื่อมต่อกับไมโครโพรเซสเซอร์ขนาด 32 Bits จะแบ่งออกเป็น 4 Bank โดย ใช้สัญญาณ BE 0 -BE 3 เป็นตัวควบคุมการติดต่อระหว่าง 8 Bits 16 Bits หรือ 32 Bits

24 รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 32 Bits

25 รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 64 Bits การเชื่อมต่อกับไมโครโพรเซสเซอร์ขนาด 64 Bits จะแบ่งออกเป็น 8 Bank โดยใช้สัญญาณ BE 0 -BE 7 เป็นตัวควบคุมการติดต่อระหว่าง 8 Bits 16 Bits 32 Bits หรือ 64 Bits

26 รูปแบบการต่อหน่วยความจำขนาด 64 Bits


ดาวน์โหลด ppt Memory Pin Connections 1. Address Inputs 2. Data Input/Outputs 3. Selection Input 4. Control Input 4.1 Read 4.2 Write.

งานนำเสนอที่คล้ายกัน


Ads by Google