งานนำเสนอกำลังจะดาวน์โหลด โปรดรอ

งานนำเสนอกำลังจะดาวน์โหลด โปรดรอ

R EADER TESTING MODEL BY USING ANTENNA ( แบบจำลองชุดทดสอบหัวอ่าน โดยใช้สายอากาศ )

งานนำเสนอที่คล้ายกัน


งานนำเสนอเรื่อง: "R EADER TESTING MODEL BY USING ANTENNA ( แบบจำลองชุดทดสอบหัวอ่าน โดยใช้สายอากาศ )"— ใบสำเนางานนำเสนอ:

1 R EADER TESTING MODEL BY USING ANTENNA ( แบบจำลองชุดทดสอบหัวอ่าน โดยใช้สายอากาศ )

2 2

3

4 4

5 5

6 6

7 7 Pozar, David M.Pozar, David M. Microwave engineering. 3rd ed. Hoboken, N.J. : Wiley,2005.

8 8 สายอากาศไดโพล. เข้าถึงได้จาก : http://www.hs8jyx.com/html/dipole.html. ( วันที่สืบค้น : 3 สิงหาคม 2552) http://www.hs8jyx.com/html/dipole.html

9 9 Parabolic AntennaParabolic Antenna. เข้าถึงได้จาก : http://www.radartutorial.eu/06.antennas/an10.en.html. ( วันที่สืบค้น : 3 สิงหาคม 2552) http://www.radartutorial.eu/06.antennas/an10.en.html

10 รูปแบบการจำลอง หัวอ่าน Testing the reader model as a resistance Testing the reader model as a recording head circuit Testing the recording head circuit connect to conductor wire VoltageS-Parameter 10

11 โครงสร้างภายในของ Recording Head Simplified model for a recording head on suspension แสดงตัวต้านทานที่เป็น Reader Head 11 Wallash. A New Electrical Overstress (EOS) Test for Magnetic Recording Heads. เข้าถึงได้จาก : www.credencetech.com/products/.../New_EOS_Test_Recording_Heads.pdf. www.credencetech.com/products/.../New_EOS_Test_Recording_Heads.pdf ( วันที่สืบค้น : 14 พฤศจิกายน 2552)

12 1. ใช้ Lumped และ Discrete port แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน การจำลองหัวอ่าน 1.1 ใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน 12

13 กราฟแสดงความสัมพันธ์ระหว่าง Voltage และ Frequency ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความ ต้านทาน แรงดัน % การลดลง ระหว่างค่า ความ ต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2.4 GHz 300 Ohm (Good Reader) 0.2923598 V 40.134% 75 Ohm (Bad Reader) 0.09928256 V 13

14 การจำลองหัวอ่าน 1.2 ใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน 14

15 กราฟแสดงค่า s-parameter (s 2,1) ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความ ต้านทาน s- parameter % การเพิ่มขึ้น ระหว่างค่าความ ต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2.3684 GHz 300 Ohm (Good Reader) 0.1965 20.967% 75 Ohm (Bad Reader) 0.2377 15

16 การจำลองหัวอ่าน 2. สร้างวงจร recording head แล้วใช้ Lumped และ Discrete port แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน 16 Wallash. A New Electrical Overstress (EOS) Test for Magnetic Recording Heads. เข้าถึงได้จาก : www.credencetech.com/products/.../New_EOS_Test_Recording_Heads.pdf. www.credencetech.com/products/.../New_EOS_Test_Recording_Heads.pdf ( วันที่สืบค้น : 14 พฤศจิกายน 2552)

17 การจำลองหัวอ่าน 2.1 สร้างวงจร recording head แล้วใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน 17

18 กราฟแสดงความสัมพันธ์ระหว่าง Voltage และ Frequency ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทานแรงดัน % การลดลง ระหว่างค่าความ ต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2.2 GHz 300 Ohm (Good Reader) 0.7177231 V 27.671% 75 Ohm (Bad Reader) 0.5191208 V 18

19 การจำลองหัวอ่าน 2.2 สร้างวงจร recording head แล้วใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน 19

20 กราฟแสดงค่า s-parameter (s 2,1) ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทาน s-parameter % การเพิ่มขึ้น ระหว่างค่าความ ต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2.2082 GHz 300 Ohm (Good Reader) 0.04167 45.836% 75 Ohm (Bad Reader) 0.06077 20

21 การจำลองหัวอ่าน 3. สร้างสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Lumped และ Discrete port แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head ภาพสายเชื่อมต่อหัวอ่านและหัวเขียน 21 ชญาดา สุระวนิชกุล. แบบจำลองของสายเชื่อมต่อหัวอ่านและวงจรขยายภาคแรกโดยใช้เอสพารา มิเตอร์,2551

22 การจำลองหัวอ่าน 3.1 สร้างสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head 22

23 23 ภาพขยายส่วนเชื่อมต่อ กับบริเวณหัวอ่าน การจำลอง หัวอ่าน

24 กราฟแสดงความสัมพันธ์ระหว่าง Voltage และ Frequency ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทานแรงดัน % การลดลง ระหว่างค่าความ ต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2 GHz 300 Ohm (Good Reader) 0.1968189 V 60.073% 75 Ohm (Bad Reader) 0.07858368 V 24

25 การจำลองหัวอ่าน 3.2 สร้างสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head 25

26 26 ภาพขยายส่วนเชื่อมต่อกับบริเวณหัวอ่าน การจำลองหัวอ่าน

27 กราฟแสดงค่า s-parameter (s 2,1) ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความ ต้านทาน s-parameter % การเพิ่มขึ้น ระหว่างค่าความ ต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2.3284 GHz 300 Ohm (Good Reader) 0.0236 48.05% 75 Ohm (Bad Reader) 0.03494 27

28 กราฟแสดงความสัมพันธ์ระหว่าง Voltage และ Frequency ของทั้ง 3 การทดลอง เมื่อใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานใน reader head เมื่อใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานในวงจร recording head เมื่อมีสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head 28

29 กราฟแสดงค่า s-parameter (s 2,1) ของ ทั้ง 3 การทดลอง เมื่อใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานใน reader head เมื่อใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานในวงจร recording head เมื่อมีสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head 29


ดาวน์โหลด ppt R EADER TESTING MODEL BY USING ANTENNA ( แบบจำลองชุดทดสอบหัวอ่าน โดยใช้สายอากาศ )

งานนำเสนอที่คล้ายกัน


Ads by Google