งานนำเสนอกำลังจะดาวน์โหลด โปรดรอ

งานนำเสนอกำลังจะดาวน์โหลด โปรดรอ

Reader testing model by

งานนำเสนอที่คล้ายกัน


งานนำเสนอเรื่อง: "Reader testing model by"— ใบสำเนางานนำเสนอ:

1 Reader testing model by
Reader testing model by using antenna  (แบบจำลองชุดทดสอบหัวอ่านโดยใช้สายอากาศ)

2

3

4

5

6

7 Pozar, David M. Microwave engineering. 3rd ed. Hoboken, N. J
Pozar, David M. Microwave engineering. 3rd ed. Hoboken, N.J. : Wiley,2005.

8 สายอากาศไดโพล. เข้าถึงได้จาก : http://www. hs8jyx. com/html/dipole
สายอากาศไดโพล.เข้าถึงได้จาก : (วันที่สืบค้น : 3 สิงหาคม 2552)

9 Parabolic Antenna. เข้าถึงได้จาก : http://www. radartutorial. eu/06

10 รูปแบบการจำลองหัวอ่าน
Testing the reader model as a resistance Testing the reader model as a recording head circuit Testing the recording head circuit connect to conductor wire Voltage S-Parameter

11 Simplified model for a recording head on suspension
แสดงตัวต้านทานที่เป็น Reader Head Wallash. A New Electrical Overstress (EOS) Test for Magnetic Recording Heads.เข้าถึงได้จาก : (วันที่สืบค้น : 14 พฤศจิกายน 2552)

12 การจำลองหัวอ่าน ใช้ Lumped และ Discrete port แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน 1.1 ใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน

13 กราฟแสดงความสัมพันธ์ระหว่าง Voltage และ Frequency
ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทาน แรงดัน % การลดลง ระหว่างค่าความต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2.4 GHz 300 Ohm (Good Reader) V 40.134% 75 Ohm (Bad Reader) V

14 การจำลองหัวอ่าน 1.2 ใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน

15 ความถี่ที่เกิด rasonance ระหว่างค่าความต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm
กราฟแสดงค่า s-parameter (s 2,1) ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทาน s-parameter % การเพิ่มขึ้น ระหว่างค่าความต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm GHz 300 Ohm (Good Reader) 0.1965 20.967% 75 Ohm (Bad Reader) 0.2377

16 การจำลองหัวอ่าน 2. สร้างวงจร recording head แล้วใช้ Lumped และ Discrete port แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน Wallash. A New Electrical Overstress (EOS) Test for Magnetic Recording Heads.เข้าถึงได้จาก : (วันที่สืบค้น : 14 พฤศจิกายน 2552)

17 การจำลองหัวอ่าน 2.1 สร้างวงจร recording head แล้วใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน

18 ความถี่ที่เกิด rasonance
กราฟแสดงความสัมพันธ์ระหว่าง Voltage และ Frequency ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทาน แรงดัน % การลดลง ระหว่างค่าความต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2.2 GHz 300 Ohm (Good Reader) V 27.671% 75 Ohm (Bad Reader) V

19 การจำลองหัวอ่าน 2.2 สร้างวงจร recording head แล้วใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานในหัวอ่าน

20 ความถี่ที่เกิด rasonance
กราฟแสดงค่า s-parameter (s 2,1) ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทาน s-parameter % การเพิ่มขึ้น ระหว่างค่าความต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm GHz 300 Ohm (Good Reader) 45.836% 75 Ohm (Bad Reader)

21 การจำลองหัวอ่าน 3. สร้างสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Lumped และ Discrete port แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head ภาพสายเชื่อมต่อหัวอ่านและหัวเขียน ชญาดา สุระวนิชกุล.แบบจำลองของสายเชื่อมต่อหัวอ่านและวงจรขยายภาคแรกโดยใช้เอสพารามิเตอร์,2551

22 การจำลองหัวอ่าน 3.1 สร้างสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head

23 การจำลองหัวอ่าน ภาพขยายส่วนเชื่อมต่อกับบริเวณหัวอ่าน

24 ความถี่ที่เกิด rasonance
กราฟแสดงความสัมพันธ์ระหว่าง Voltage และ Frequency ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทาน แรงดัน % การลดลง ระหว่างค่าความต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm 2 GHz 300 Ohm (Good Reader) V 60.073% 75 Ohm (Bad Reader) V

25 การจำลองหัวอ่าน 3.2 สร้างสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head

26 การจำลองหัวอ่าน ภาพขยายส่วนเชื่อมต่อกับบริเวณหัวอ่าน

27 ความถี่ที่เกิด rasonance
กราฟแสดงค่า s-parameter (s 2,1) ความถี่ที่เกิด rasonance ค่าความต้านทาน s-parameter % การเพิ่มขึ้น ระหว่างค่าความต้านทาน 300 Ohm และ 75 Ohm GHz 300 Ohm (Good Reader) 0.0236 48.05% 75 Ohm (Bad Reader)

28 กราฟแสดงความสัมพันธ์ระหว่าง Voltage และ Frequency ของทั้ง 3 การทดลอง
เมื่อใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานใน reader head เมื่อใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานในวงจร recording head เมื่อมีสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Lumped แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head

29 กราฟแสดงค่า s-parameter (s 2,1) ของทั้ง 3 การทดลอง
เมื่อใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานใน reader head เมื่อใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานในวงจร recording head เมื่อมีสายเชื่อมต่อบริเวณ reader head แล้วใช้ Discrete port แทนค่าความต้านทานของหัวอ่าน ในวงจร recording head


ดาวน์โหลด ppt Reader testing model by

งานนำเสนอที่คล้ายกัน


Ads by Google